半导体发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108598229A(43)申请公布日2018.09.28(21)申请号201810342699.8(51)Int.Cl.(22)申请日2013.07.18H01L33/10(2010.01)H01L33/32(2010.01)(30)优先权数据H01L33/38(2010.01)10-2012-00782702012.07.18KRH01L33/42(2010.01)10-2012-00830912012.07.30KRH01L33/44(2010.01)10-2013-00029492013.01.10KRH01L33/46(2010.01)(62)分案原申请数据H01L33/50(2010.01)201380004181.92013.07.18(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人全水根朴恩铉金勈德(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮权利要求书1页说明书24页附图25页(54)发明名称半导体发光器件(57)摘要本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；以及形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜的不导电反射膜，所述第一电极位于所述不导电反射膜上，且通过电连接件与所述第一半导体层电连接，所述电连接件穿过所述不导电反射膜。CN108598229ACN108598229A权利要求书1/1页1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜，所述第一电极位于所述不导电反射膜上，且通过电连接件与所述第一半导体层电连接，所述电连接件穿过所述不导电反射膜。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括分支电极，所述分支电极位于所述不导电反射膜与所述第二半导体层之间，且与所述第二电极电连接。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括分支电极，所述分支电极与所述电连接件电连通，且位于所述第一半导体层上。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。6.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，该半导体发光器件包括包覆膜，所述包覆膜位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低。2CN108598229A说明书1/24页半导体发光器件[0001]本申请是申请日为2013年7月18日，申请号为201380004181.9，发明名称为“半导体发光器件”的发明专利申请的分案申请。技术领域[0002]本公开(disclosure)总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种具有光反射面的半导体发光器件。[0003]在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。背景技术[0004]这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(Thissectionprovidesbackgr