半导体发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108807635A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201810879444.5(51)Int.Cl.(22)申请日2013.07.18H01L33/46(2010.01)H01L33/50(2010.01)(30)优先权数据H01L33/32(2010.01)10-2012-00782702012.07.18KRH01L33/38(2010.01)10-2012-00830912012.07.30KRH01L33/42(2010.01)10-2013-00029492013.01.10KRH01L33/44(2010.01)(62)分案原申请数据201380004181.92013.07.18(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人全水根朴恩铉金勈德(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮权利要求书1页说明书24页附图25页(54)发明名称半导体发光器件(57)摘要半导体发光器件。本发明提供了一种半导体发光器件，包括：多个半导体层，包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于第一半导体层和第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层；不导电反射膜，设置在多个半导体层上，用于从有源层向第一半导体层反射光；第一电极和第二电极，设置在不导电反射膜上并且与该不导电反射膜接触，并且与多个半导体层电连接；至少一个指状电极，其在不导电反射膜和多个半导体层之间延伸，至少一个指状电极电连接到第一电极和第二电极中的一方；以及至少一个电连接件，至少一个电连接件将至少一个指状电极连接到第二电极并且穿过不导电反射膜。CN108807635ACN108807635A权利要求书1/1页1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层；不导电反射膜，所述不导电反射膜设置在所述多个半导体层上，用于从所述有源层向所述第一半导体层反射光，其中，所述不导电反射膜包括分布式布拉格反射器；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述不导电反射膜上并且与该不导电反射膜接触，并且与所述多个半导体层电连接，其中，设置所述第一电极的侧具有增加的高度，以使得所述第一电极的侧与所述第二电极的侧之间的高度差减少；至少一个指状电极，所述至少一个指状电极在所述不导电反射膜和所述多个半导体层之间延伸，所述至少一个指状电极电连接到所述第一电极和所述第二电极中的一方；以及至少一个电连接件，所述至少一个电连接件将所述至少一个指状电极连接到所述第二电极并且穿过所述不导电反射膜，其中，所述至少一个指状电极在所述第二半导体层上方延伸，并且其中，所述至少一个指状电极在所述第一电极的不与所述至少一个指状电极电连接的下方延伸。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个指状电极由两个或更多个单独的指状电极组成。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个指状电极还包括在所述第一半导体层上方延伸的一个或更多个指状电极。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件还包括：透光导电膜，所述透光导电膜设置在所述至少一个指状电极和所述第二半导体层之间。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个指状电极由沿着所述半导体发光器件的横向方向延伸的多个指状电极组成。2CN108807635A说明书1/24页半导体发光器件[0001]本申请是申请号为201380004181.9(国际申请号为PCT/KR2013/006458，国际申请日为2013年7月18日，发明名称为“半导体发光器件”)的发明专利申请的分案申请。技术领域[0002]本公开(disclosure)总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及一种具有光反射面的半导体发光器件。[0003]在本文的上下文，术语“半导体发光器件”指的是经由电子-空穴复合来产生光的半导体光学器件，并且一个示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由含Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的化合物组成。其另一个示例是用于红光发射的GaAs基半导体发光器件。背景技术[0004]这部分提供与本公开有关的背景信息，其不一定是现有技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosur