半导体发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104011887104011887A(43)申请公布日2014.08.27(21)申请号201380004181.9代理人吕俊刚刘久亮(22)申请日2013.07.18(51)Int.Cl.H01L33/46(2006.01)(30)优先权数据10-2012-00782702012.07.18KRH01L33/36(2006.01)10-2012-00830912012.07.30KR10-2013-00029492013.01.10KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.06(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2013/0064582013.07.18(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/014299KO2014.01.23(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人全水根朴恩铉金勈德(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127权权利要求书2页利要求书2页说明书24页说明书24页附图23页附图23页(54)发明名称半导体发光器件(57)摘要本公开涉及一种半导体发光器件，包括：第一电极，第一电极用于向多个半导体层提供电子或电子空穴；第二电极，第二电极用于向多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴；荧光材料部，荧光材料部设置在作为生长衬底侧的第一半导体侧，用于将从有源层中产生的具有第一波长的光转换成具有第二波长的光；以及不导电反射膜，不导电反射膜被形成在第二半导体层的顶部上，用于从有源层向在生长衬底侧的第一半导体侧反射光，其中，不导电反射膜具有基于经荧光材料部转换的光设计的分布式布拉格反射器。CN104011887ACN10487ACN104011887A权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生具有第一波长的光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述多个半导体层提供电子或空穴；第二电极，如果所述第一电极提供空穴则所述第二电极向所述多个半导体层提供电子，或者如果所述第一电极提供电子则所述第二电极向所述多个半导体层提供空穴；荧光体部，所述荧光体部设置在所述生长衬底侧的所述第一半导体层上方，所述荧光体部将在所述有源层中产生的具有所述第一波长的光转换成第二波长的光；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，其中，所述不导电反射膜具有基于经所述荧光体部转换的光设计的分布式布拉格反射器。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述荧光体将所述第一波长的光转换成包括所述第二波长在内的n个波长，其中n是至少2的整数，并且其中，所述不导电反射膜具有至少两个分布式布拉格反射器，所述至少两个分布式布拉格反射器基于从由来自所述有源层的光以及来自所述荧光体部的光组成的组中选择的两种或更多种光设计。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个分布式布拉格反射器包括基于来自所述有源层的光设计的分布式布拉格反射器。4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个分布式布拉格反射器从所述第二半导体层按照最短基准波长到最长设计波长的顺序设置。5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个分布式布拉格反射器从所述第二半导体层按照最长基准波长到最短设计波长的顺序设置。6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述n个波长包括所述第二波长、第三波长以及第四波长，其中，在这三个波长中所述第三波长和所述第四波长之间具有最小差异，并且其中，所述不导电反射膜具有针对所述第三波长和所述第四波长的一个分布式布拉格反射器。7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个反射器具有基于经所述荧光体部转换的两个波长设计的分布式布拉格反射器。8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述两个波长是在经所述荧光体部转换的波长中具有最小差异的波长。9.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述两个波长是在经所述荧光体部转换的波长中具有最长波长的波长。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二电极包括介于所述不导电反射膜和所述第二半导体层之间的指状电极。11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，在朝着所述第二半导体层的一侧所述第二电极包含Au。12.根据权利要求2所述的半导体发光器件，至少两个分布式布拉