用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109148675A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号201810884313.6(22)申请日2018.08.06(71)申请人深圳市斯迈得半导体有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道松白路中运泰科技工业厂区厂房6栋8、9楼(72)发明人刘云李俊东(74)专利代理机构北京市盈科律师事务所11344代理人王华永(51)Int.Cl.H01L33/62(2010.01)H01L33/48(2010.01)H01R13/02(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图13页(54)发明名称用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法(57)摘要本申请涉及用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法。公开了一种用于LED支架的基材(1)，基材(1)包括金属基体(7)，基材(1)包括：布置在金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；和/或在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。本申请还提供了具有这种基材(1)的LED支架，以及在这种LED支架封装LED芯片得到的LED光源。本申请还公开了对本申请的这种LED支架基材(1)或LED光源半成品(图5A-5C)进行表面处理的方法。通过本申请，可保护基材材料不易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度。CN109148675ACN109148675A权利要求书1/3页1.一种用于LED支架的基材(1)，所述基材(1)包括金属基体(7)，其中，所述基材(1)包括：布置在所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层；在所述金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。2.根据权利要求1所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层，以及一层或多层化合物层。3.根据权利要求2所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述第一金属层是铝或铝合金、铁或铁合金、或者铜或铜合金；并且所述化合物层是通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀沉积的化合物涂层，所述化合物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、含硅化合物、比如硅油中的一种或多种。4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层。5.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中，所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。6.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、氧化铝层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化硅层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层，以及最外侧的含硅化合物、比如硅油。7.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1)，其中：所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、二氧化钛2CN109148675A权利要求书2/3页层、二