一种制备大尺寸银纳米线电极的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110033899A(43)申请公布日2019.07.19(21)申请号201910238018.8(22)申请日2019.03.27(71)申请人哈尔滨工业大学地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(72)发明人张墅野刘旭何鹏林铁松(74)专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211代理人田鸿儒(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种制备大尺寸银纳米线电极的方法(57)摘要本发明公开了一种制备大尺寸银纳米线电极的方法，属于光电器件制备技术领域，具体为：(1)将银纳米线墨水于溶剂混合均匀，配制成稀释墨水；(2)将稀释墨水滴加在基底表面，用迈耶棒均匀涂布成膜；(3)置于发热光源下干燥，即得到均匀的银纳米线电极。利用本发明提供的方法制备的银纳米线电极，均匀性良好，各区域方阻值相对集中且数值较小，电极的整体电学性能得到明显提升。CN110033899ACN110033899A权利要求书1/1页1.一种制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将银纳米线墨水于溶剂混合均匀，配制成稀释墨水；(2)将稀释墨水滴加在基底表面，用迈耶棒均匀涂布成膜；(3)置于发热光源下干燥，即得到均匀的银纳米线电极。2.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(1)所述的银纳米线墨水中的银纳米线平均直径为35-50nm，平均长度为10-30μm，其中银纳米线重量百分比为1％，溶剂为水。3.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(1)所述的银纳米线墨水中，银纳米线的制备方法为多元醇法。4.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(1)所述溶剂为无水乙醇。5.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(1)所述银纳米线墨水和溶剂的体积比为1:4。6.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(2)所述基底为PET塑料。7.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(2)所述涂布成膜，涂布厚度为30μm。8.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(3)所述发热光源为氙光灯。9.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：步骤(3)中，稀释墨水膜所在平面与发热光源垂直距离为35cm，膜在以发热光源在其所在平面投影为中点的线段上做往复运动，该线段长70cm，膜在发热光源下的运动速度为0.05m/s。10.根据权利要求1所述的制备大尺寸银纳米线电极的方法，其特征在于：所述发热光源的发热功率为500W；干燥时间为30min。2CN110033899A说明书1/4页一种制备大尺寸银纳米线电极的方法技术领域[0001]本发明属于光电器件制备技术领域，具体涉及一种制备大尺寸银纳米线电极的方法。背景技术[0002]透明的导体是许多光电器件的核心组件，比如触摸屏、液晶显示器(LCDs)、有机发光二极管(OLEDs)、太阳能电池等，这些器件的使用最近呈现非常迅速的增长。传统的氧化铟锡(ITO)和氟掺杂氧化锡(FTO)常被用于制备这些器件。这些电极或者导电膜一般通过真空磁控溅射来制备，具有高导电性，高透光性和热稳定性等优异性能。然而这些金属氧化物的制备成本高，制备过程的温度很高,并且这些金属氧化物性质较脆，柔性较差，限制了他们的进一步应用。[0003]最近报道了许多可替代的透明电极(TCEs)，例如碳纳米管(CNTs)、石墨烯、导电高分子聚合物和银纳米线(AgNWs)等等。其中，导电高分子聚合物的导电性和稳定性差，碳基纳米材料的光透过性和导电性相对较低。金属由于具有高的自由电子密度，是地球上导电性最好的材料之一，同时也导致金属在可见光波长范围里有很高的反射率，并不是很透明。但是，当金属的尺寸很小时(比可见光波长还小)，在维持良好的导电性的同时能够具有很高的光透过性。银纳米线由于它相对低的成本，高导电性，高透光性和简单的制备过程被广泛认为是合适的替代物。此外，相比传统的氧化物，银纳米线透明导电膜的柔性更好，并且能够通过湿法涂布的方法实现大面积制备。[0004]对于触摸屏应用方面，透明导电薄膜的方阻的均匀性是最重要的质量因素之一。然而银纳米线透明导电薄膜的均匀性远低于氧化铟锡(ITO)。制备银纳米线电极的常规方法为首先将银纳米线墨水均匀涂布在基底上，然后待溶剂挥发后制成银纳米线电极。现在有很多文献报道制备出了方阻很小，透光率很大的银纳米线电极，但是实际上这些电极的均匀性很差，方阻数值偏离平均值的标准偏差