一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113921192A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111106540.4(22)申请日2021.09.22(71)申请人香港城市大学成都研究院地址610000四川省成都市双流区东升街道银河路三段166号(72)发明人于欣格高瞻(74)专利代理机构成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙)51239代理人刘沁(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B5/14(2006.01)H01B1/02(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，包括(S1)对玻璃衬底清洗后进行干燥处理；(S2)将玻璃衬底预处理；(S3)在玻璃衬底上喷涂银纳米线溶液；(S4)在银纳米线导电薄膜上旋涂光刻胶，并进行预退火处理；(S5)利用光刻掩膜版辅助，曝光光刻胶薄膜；(S6)将玻璃基板浸入显影液中显影；(S7)采用物理洗刷方式将暴露在光刻胶外的银纳米线完全去除；(S8)将玻璃基板上残留的光刻胶完全去除；(S9)对玻璃基板进行干燥处理；(S10)将聚乙烯醇溶液浇灌在玻璃基板上覆盖整个电极图案，等待晾干后，揭起PVA薄膜，获得微纳银纳米线透明电极。本发明解决了金属刻蚀时间长和刻蚀不完全导致的导电沟道边缘粗糙的问题。CN113921192ACN113921192A权利要求书1/1页1.一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(S1)对玻璃衬底清洗后进行干燥处理；(S2)将干燥后的玻璃衬底预处理；(S3)在玻璃衬底上喷涂银纳米线溶液；(S4)在银纳米线导电薄膜上旋涂光刻胶，并进行预退火处理；(S5)利用光刻掩膜版辅助，曝光光刻胶薄膜；(S6)将曝光后的玻璃基板浸入显影液中显影；(S7)采用物理洗刷方式将暴露在光刻胶外的银纳米线完全去除；(S8)将玻璃基板上残留的光刻胶完全去除；(S9)对玻璃基板进行干燥处理；(S10)将聚乙烯醇溶液浇灌在玻璃基板上覆盖整个电极图案，等待晾干后，揭起PVA薄膜，获得微纳银纳米线透明电极。2.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S1)中对玻璃衬底清洗是依次采用去离子水、乙醇溶液和丙酮溶液对玻璃衬底进行超声清洗。3.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S2)中预处理方法为采用O2Plasma对玻璃衬底进行10‑15min的预处理。4.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S3)中银纳米线溶液的浓度满足2‑5mg/ml，银纳米线长度约满足20‑30μm，同时直径满足20‑30nm。5.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S4)中的旋涂方式为前级500rpm，时间10s，后级3000rpm，时间30s，其中，预退火时间为5min。6.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S5)中曝光时间满足20‑30s。7.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S6)中，显影液按照AZ400K∶水＝1∶4的比例配置而成，其中，显影时间满足20‑30s。8.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S7)中物理洗刷方式为利用尼龙长杆排刷对玻璃基板进行反复刷洗，将银纳米线完全去除。9.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S8)中去除残留的光刻胶的方法是将玻璃基板浸入丙酮溶液中，去除残留的光刻胶。10.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S10)中聚乙烯醇溶液浓度满足8‑10wt.％。2CN113921192A说明书1/4页一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法技术领域[0001]本发明属于柔性透明电极技术领域，具体地讲，是涉及一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法。背景技术[0002]柔性透明电极已广泛应用于各种柔性电子器件中，如可穿戴电子器件、可变形接触界面、柔性集成电路、电子皮肤、生物医学传感器等。高性能柔性透明电极应具有高光学透过率，低电阻以及稳定的机械性能。氧化铟锡(ITO)作为透明电极在