大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104616833A(43)申请公布日2015.05.13(21)申请号201510013871.1(22)申请日2015.01.12(71)申请人浙江大学地址310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号(72)发明人杨柳寇鹏飞迟克群何赛灵(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公司33200代理人林松海(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B1/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极(57)摘要本发明公开了一种大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极，取适量银纳米线溶液，用离心机分离出银纳米线和溶剂，去除溶剂后，将底部银纳米线掺于光刻胶中，震荡直至银纳米线均匀分散其中，形成银纳米线-光刻胶悬浊液；将该悬浊液均匀旋涂到洁净的透明基底上，形成银纳米线-光刻胶薄膜；将旋涂有银纳米线-光刻胶薄膜的透明基底浸入去胶溶液中去除表面光刻胶；取出透明基底，待其表面溶液挥发后，银纳米线留在透明基底上形成均匀的银纳米线网络，即银纳米线透明电极。该银纳米线透明电极具有优异的导电性、透过率和均匀性；该方法与基底面积和基底表面形状无关，与滴胶的量也无严格关系，重复性和可靠性高，适合大面积批量生产。CN104616833ACN104616833A权利要求书1/1页1.一种大面积制备银纳米线透明电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备银纳米线-光刻胶悬浊液：取适量银纳米线溶液，用离心机分离出银纳米线和溶剂，去除溶剂后，将底部银纳米线掺于光刻胶中，震荡直至银纳米线均匀分散到光刻胶中，形成银纳米线-光刻胶悬浊液；（2）准备透明基底：将透明基底清洗干净，然后干燥；上述步骤（1）和（2）没有先后顺序关系；（3）制备银纳米线-光刻胶薄膜：将银纳米线-光刻胶悬浊液滴到透明基底上，旋转透明基底，使得银纳米线-光刻胶悬浊液均匀涂覆到透明基底上，形成银纳米线-光刻胶薄膜，厚度为100-600nm；（4）去除表面光刻胶：将旋涂有银纳米线-光刻胶薄膜的透明基底浸入去胶溶液中，直至表面光刻胶被去除；取出透明基底，待其表面溶液挥发后，银纳米线留在透明基底上形成均匀的银纳米线网络，即银纳米线透明电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述的光刻胶选自正性或负性光刻胶。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述的干燥，采用干燥氮气吹干和/或用烘干设备烘干表面水分。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述的银纳米线-光刻胶薄膜不可太厚，厚度为100-600nm。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）所述的去胶溶液根据步骤（1）所述的光刻胶的不同，可选自丙酮、正胶显影液、负胶显影液，且所选用的正胶或负胶显影液不能与银发生化学反应。6.一种根据权利要求1所述的方法制备的银纳米线透明电极。2CN104616833A说明书1/4页大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极技术领域[0001]本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种大面积制备银纳米线透明电极的方法。背景技术[0002]透明电极是一种同时具有高导电性和高可见光透过率的薄膜材料，是构成发光二极管、太阳能电池、液晶显示、触摸屏等光电子器件的核心元件。目前，应用最广泛的透明电极材料是金属氧化物半导体，如氧化铟锡（ITO）等。尽管具有高导电性、高透过率，ITO仍然存在一些固有的材料属性问题。首先，ITO中的铟元素是一种稀缺材料，价格高、成本高，而且地球上的铟储量已远不能满足人们对透明电极日益增加的需求。其次，金属氧化物半导体多为陶瓷材料，性质脆，易断裂，易引起薄膜导电性下降，因此不宜应用于柔性光电子器件中。与金属氧化物半导体及新兴的碳基导电材料（包括聚合物半导体、碳纳米管、石墨烯等）相比，金属表现出了良好的电学和光学性质，尤其银纳米线最为突出（详见综述文章K.Ellmer,NaturePhotonics6(12):809-817,2012）。[0003]目前，基于银纳米线的透明电极主要采用旋涂（J.-Y.Lee,S.T.Connor,Y.Cui,andP.Peumans,NanoLett.8(2):689–692,2008；J.-Y.Lee,S.T.Connor,Y.Cui,andP.Peumans,NanoLett.10(4):1276–1279,2010；S.Xie,Z,Ouyang,B.JiaandM.Gu,Opt.Express21(S3):A355-A362,2013）、喷涂（V.Scardaci,R.Coull,P.E.Lyons,D.Rickard,andJ