半导体发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110197867A(43)申请公布日2019.09.03(21)申请号201910140688.6(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司1(22)申请日2019.02.261127代理人刘久亮黄纶伟(30)优先权数据10-2018-00230402018.02.26KR(51)Int.Cl.10-2018-00250572018.03.02KRH01L33/60(2010.01)10-2018-00250562018.03.02KRH01L33/56(2010.01)10-2018-00250552018.03.02KRH01L33/58(2010.01)10-2018-00331572018.03.22KR10-2018-00505702018.05.02KR10-2018-00505692018.05.02KR10-2018-00505682018.05.02KR10-2018-00505662018.05.02KR(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人金炅珉金奉焕韩定佑权利要求书1页说明书27页附图17页(54)发明名称半导体发光器件及其制造方法(57)摘要半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生光的有源层；透镜形状的封装构件，该封装构件由对于波段范围为100nm至400nm的光而言具有至少90％的透射率的透光热塑性树脂制成，以包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括导电层，所述导电层电连接到所述半导体发光器件芯片的所述电极。以使除了所述封装构件的下表面的与所述外部基板接触的部分之外的所述封装构件的所有表面都暴露于外部的方式形成所述封装构件。CN110197867ACN110197867A权利要求书1/1页1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括被配置为通过电子和空穴的复合产生光的有源层；封装构件，该封装构件由对于波段范围为100nm至400nm的光而言具有至少90％的透射率的透光热塑性树脂制成，以包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括电连接到所述半导体发光器件芯片的所述电极的导电层，其中，以使除了所述封装构件的下表面的与所述外部基板接触的部分之外的所述封装构件的所有表面都暴露于外部的方式形成所述封装构件。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述外部基板包括屏障件，所述屏障件被布置成比所述导电层更远离所述半导体发光器件芯片，并且其中，所述封装构件覆盖所述屏障件的上表面的至少一部分。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述封装构件完全覆盖所述屏障件的上表面。4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述屏障件的高度等于或小于所述导电层的高度，其中，所述屏障件的上表面与所述封装构件的下表面接触。5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述外部基板包括反射层，所述反射层被布置在所述外部基板的上表面上距所述屏障件预定距离处。6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述屏障件的侧表面中的位于所述反射层和所述屏障件之间的一个侧表面没有被所述封装构件覆盖。7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述屏障件由包含Au或Al的金属物质制成。8.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述屏障件具有无狭缝的闭环形式。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述半导体发光器件芯片发射波段范围为100nm至400nm的光。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述封装构件被形成为半球形凸透镜、凹透镜、平顶透镜、弯月形透镜、锥形透镜或不同的地理结构透镜形状中的至少一种。2CN110197867A说明书1/27页半导体发光器件及其制造方法技术领域[0001]本公开总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及光提取效率提高的半导体发光器件。背景技术[0002]本部分提供了与本公开相关而不一定是现有技术的背景信息。[0003]图1例示现有技术中的半导体发光器件芯片的示例。[0004]半导体发光器件芯片包括生长基板610(例如，蓝宝石基板)，在生长基板610上方依次沉积有多个层，这多个层包括缓冲层620、具有第一导电率的第一半导体层630(例如，n型GaN层)、适于通过电子-空穴复合产生光的有源层640(例如，INGaN/(In)GaNMQW)以及具有不同于第一导电率的第二导电率