发光半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102460743A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102460743A(43)申请公布日2012.05.16(21)申请号201080024735.8(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理(22)申请日2010.06.03有限公司11262代理人周靖郑霞(30)优先权数据200956272009.06.05FI(51)Int.Cl.H01L33/40(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H01L33/00(2006.01)2011.12.05(86)PCT申请的申请数据PCT/FI2010/0504542010.06.03(87)PCT申请的公布数据WO2010/139860EN2010.12.09(71)申请人奥普特冈有限公司地址芬兰埃斯堡(72)发明人弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫马克西姆·A·欧得诺莱多夫米卡尔·缪洛权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书55页页附图附图22页(54)发明名称发光半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明的发光半导体器件(1)由第III族金属的氮化物制成，并且包括层结构，所述层结构包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在n型半导体层和p型半导体层之间的活性区(4)。层结构具有被n型半导体层和p型半导体层之一限定的接触表面(5)，并且还包括附接于接触表面的反射接触结构(6)。根据本发明，反射接触结构(6)包括：第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，其具有多晶结构，附接于层结构的接触表面(5)；第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，其具有非结晶结构；以及附接于第二TCO层的金属反射层(15)。CN1024673ACN102460743A权利要求书1/2页1.一种发光半导体器件(1)，其由第III族金属的氮化物制成，所述器件包括层结构，所述层结构包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的活性区(4)，所述层结构具有由所述n型半导体层和所述p型半导体层之一限定的接触表面(5)，所述结构还包括附接于所述接触表面的反射接触结构(6)，其特征在于，所述反射接触结构(6)包括：-第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，其具有多晶结构，附接于所述层结构的所述接触表面(5)，-第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，其具有非结晶结构，以及-附接于所述第二TCO层的金属反射层(15)。2.如权利要求1所述的半导体器件(1)，其特征在于，所述第一TCO接触层(13)的化学成分被选择成提升所述第一TCO接触层到所述层结构的所述接触表面(5)的强粘附力、所述第一TCO接触层的良好的透明度和高电导率，以及所述第二TCO接触层(14)的化学成分被选择成提升所述金属反射层(15)与所述第二TCO接触层的强粘附力。3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体器件(1)，其特征在于，限定所述接触表面的所述层(3)包括p型InGaN。4.如权利要求1到权利要求3中的任何一个所述的半导体器件(1)，其特征在于，所述第一TCO接触层(13)包括铟锡氧化物。5.如权利要求1到权利要求4中的任何一个所述的半导体器件(1)，其特征在于，所述第一TCO接触层(13)具有30-500nm的厚度，优选具有100-150nm的厚度。6.如权利要求1到权利要求5中的任何一个所述的半导体器件(1)，其特征在于，所述第二TCO接触层(14)包括铝锌氧化物，以及所述金属反射层(15)包括沉积在所述第二TCO接触层上的铝。7.如权利要求1到权利要求6中的任何一个所述的半导体器件(1)，其特征在于，所述第二TCO接触层(14)具有0.2-20nm的厚度，优选具有1-3nm的厚度。8.一种制造由第III族金属的氮化物制成的发光半导体器件(1)的方法，所述方法包括制作包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的活性区(4)的层结构，所述层结构具有由所述n型半导体层和所述p型半导体层之一限定的接触表面(5)，所述方法还包括在所述接触表面上形成反射接触结构(6)，其特征在于，形成所述反射接触结构(6)包括如下步骤：-在所述层结构的所述接触表面(5)上形成具有多晶结构的第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，-形成具有非结晶结构的第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，以及-在所述第二TCO层上形成金属反射层(15)。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，选择所述第一TCO接触层(13)的化学成分来提升所述第一TCO接触层到所述层结构的所述接触表面(5)的强粘附力、所述第一TCO接触层的良好的透明度和高电导率，以及选择所述第二TCO接触层(14)的化学成分来提升所述金属反射层(15)