半导体发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102244172102244172B(45)授权公告日2014.12.31(21)申请号201110124931.9(56)对比文件US2007/0267640A1,2007.11.22,说明书第(22)申请日2011.05.119-16段以及附图2-6.(30)优先权数据US2007/0267640A1,2007.11.22,说明书第10-2010-00441712010.05.11KR9-16段以及附图2-6.10-2010-01028322010.10.21KRUS2006/0175962A1,2006.08.10,说明书(73)专利权人三星电子株式会社25段以及附图3.地址韩国京畿道水原市US2010/0032701A1,2010.02.11,说明书(72)发明人高炯德杨丁子金裕承成演准57-68段以及附图6.郑守珍金大天李秉权审查员张雄娥(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人薛义丹韩明星(51)Int.Cl.H01L33/32(2010.01)H01L33/20(2010.01)H01L33/02(2010.01)H01L33/00(2010.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图8页附图8页(54)发明名称半导体发光器件及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。CN102244172BCN10247BCN102244172B权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；图案，由透明绝缘体制成并形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上，所述图案具有形状相似且尺寸不同的多个凸起部件或凹进部件，其中，上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，虚拟参考区域尺寸相同并以规则的方式布置，凸起部件或凹进部件设置在虚拟参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触，所述多个虚拟参考区域彼此接触，所述多个凸起部件或所述多个凹进部件中的沿一个方向布置的凸起部件或凹进部件以围绕虚拟参考区域的中心沿顺时针或逆时针方向旋转的方式顺序设置在虚拟参考区域中。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述发光结构形成在基底上，所述图案形成在所述基底上。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述图案形成在所述第二导电类型半导体层上。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，通过蚀刻所述第二导电类型半导体层的一部分形成所述图案。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二导电类型半导体层掺杂有n型或p型杂质。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，每个虚拟参考区域的尺寸等于或大于该虚拟参考区域与所述凸起部件或所述凹进部件之间的接触表面的尺寸。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域与所述凸起部件或所述凹进部件之间的接触表面具有不同的尺寸。8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，以与虚拟参考区域的接触表面的尺寸的升序布置所述凸起部件或所述凹进部件以构成组，所述组以重复的方式设置。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域具有圆形形状。10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域具有0.1μm至5μm的直径。11.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域之间的间隔等于或小于0.5μm。12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域与所述凸起部件或所述凹进部件之间的接触表面具有圆形形状。13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域与所述凸起部件或所述凹进部件之间的接触表面具有0.1μm至5μm的直径。14.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述凸起部件或所述凹进部件具有与半球形形状和圆锥形形状中的一种相似的形状。15.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，虚拟参考区域与所述凸起部件或所述凹进部件之间的接触表面具有相同的形状。2CN102244172B权利要求书2/2页16.一