用于形成光伏器件的栅线电极的方法和光伏器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114695599A(43)申请公布日2022.07.01(21)申请号202210315214.2(22)申请日2022.03.28(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人郁操董刚强(74)专利代理机构北京金智普华知识产权代理有限公司11401专利代理师徐会娟(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0224(2006.01)C25D5/00(2006.01)C25D5/02(2006.01)C25D7/12(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图5页(54)发明名称用于形成光伏器件的栅线电极的方法和光伏器件(57)摘要本申请提供了一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法和光伏器件，涉及太阳能电池领域。一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法，包括：提供包括相对设置的第一表面和第二表面的半导体衬底；在第一表面形成第一图形化的掩膜层；利用光诱导电镀，使光源对第二表面进行光照，使第一表面与电镀液接触，以在第一表面形成第一栅线电极；在第二表面形成第二图形化的掩膜层；利用电镀或光诱导结合电镀在第二表面形成第二栅线电极。本发明可以提升电池片对光源的利用率，避免使用铜种子层工艺步骤，减少溅射损伤和去铜损伤，有助于提升栅线电极的拉脱力和电镀均匀性，可以实现极细金属栅线电极电镀，进而能提升电池的短路电流，提升电池的光电转换效率。CN114695599ACN114695599A权利要求书1/2页1.一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为电池n型掺杂层面，第二表面为p型掺杂层面；在所述第一表面上制作第一掩膜层；对所述第一掩膜层进行图形化处理，以形成第一图形化的掩膜层；利用光诱导电镀，使光源对所述第二表面进行光照，使所述第一表面与电镀液接触，以在所述第一表面形成第一栅线电极，所述光源产生的光不经过电镀液；在所述第二表面形成第二图形化的掩膜层；当所述第一图形化的掩膜层为不透明材料时，在第一栅线电极上外加电源，利用电镀工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；去除所述第一图形化的掩膜层和所述第二图形化的掩膜层；或者，在所述第二表面形成第二图形化的掩膜层之前，去除所述第一图形化的掩膜层，利用电镀结合光诱导工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；去除所述第二图形化的掩膜层；当所述第一图形化的掩膜层为透明材料时，在第一栅线电极上外加电源，利用电镀或者电镀结合光诱导工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；去除所述第一图形化的掩膜层和所述第二图形化的掩膜层。2.一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为电池n型掺杂层面，第二表面为p型掺杂层面；在所述第一表面上制作第一掩膜层；在所述第二表面上制作第二掩膜层，所述第二掩膜层为透明掩膜结构；对所述第一掩膜层进行图形化处理，以形成第一图形化的掩膜层；利用光诱导电镀，使光源对所述第二表面进行光照，使所述第一表面与电镀液接触，以在所述第一表面形成第一栅线电极，所述光源产生的光不经过电镀液；对位于第二表面上的所述第二掩膜层进行图形化处理，以形成第二图形化的掩膜层：当所述第一图形化的掩膜层为不透明材料时，在第一栅线电极上外加电源，利用电镀工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；或者，在对位于第二表面上的所述第二掩膜层进行图形化处理，以形成所述第二图形化的掩膜层之前，去除所述第一图形化的掩膜层，利用电镀结合光诱导工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；去除所述第二图形化的掩膜层；当所述第一图形化的掩膜层为透明材料时，在第一栅线电极上外加电源，利用电镀或者电镀结合光诱导工艺，在所述第二表面形成第二栅线电极；去除所述第一图形化的掩膜层和所述第二图形化的掩膜层。3.根据权利要求1或2所述的用于形成光伏器件的栅线电极的方法，其特征在于，在电镀工艺步骤之前，在非电镀面形成水膜。4.根据权利要求1或2所述的用于形成光伏器件的栅线电极的方法，其特征在于，所述第一图形化的掩膜层包括抗电镀材料，所述抗电镀材料是采用感光材料沉积，经过曝光和显影处理后形成图形化开口；和/或，所述第二图形化的掩膜层包括抗电镀材料，所述抗电镀材料是采用感光材料沉积，经过曝光和显影处理后形成图形化开口。2CN114695599A权利要求书2/2页5.根据权利要求1或2所述的用于形成光伏器件的栅线电极的方法，其特征在于，所述光诱导电镀的工艺条件包括：光照强度为100～100000lux，电镀液的温度为20～50℃。6.根据权利要求1