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光伏器件.pdf
2023-06-14
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盼易****君a
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相关资料
光伏器件.pdf
一种光伏器件,包括PIN结构,其中p型空穴传输层(2)由衬底(1)承载,且钙钛矿层(3)和n型电子传输层(4)依次设置在p型层上。一透光导电层(9)设置在n型电子传输层的顶部以形成光接收顶面。在n型电子传输层和透光导电层之间提供包括两个无机电绝缘层(6、8)的结构,其之间具有导电材料层(7),其中两个无机电绝缘层包括带隙大于4.5eV的材料,且导电材料层包括带隙小于电绝缘层的带隙的材料,其中每个电绝缘层与导电材料层形成1型偏移结。
2023-05-23
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光伏器件.pdf
一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。
2023-06-14
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制造光伏器件的方法.pdf
一种制造单面接触式光伏器件(1)的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供光伏活性基板(3),其限定以平行条带布置的多个交替的空穴收集区(3a)和电子收集区(3b);b)跨所述区淀积导电层(5);c)淀积至少一个导电轨道(9),其沿所述区(3a、3b)中的各个区的至少一部分延伸;d)在所述区(3a、3b)中的各个区上选择性地形成电介质层(7),以在相邻区(3a、3b)之间的界面处留下无电介质的暴露区域;e)在所述暴露区域中蚀刻所述导电层(5);f)施加多个互连导线(11a、11b),以使所述空穴收集区(3a)
2023-05-16
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用于形成光伏器件的栅线电极的方法和光伏器件.pdf
本申请提供了一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法和光伏器件，涉及太阳能电池领域。一种用于形成光伏器件的栅线电极的方法，包括：提供包括相对设置的第一表面和第二表面的半导体衬底；在第一表面形成第一图形化的掩膜层；利用光诱导电镀，使光源对第二表面进行光照，使第一表面与电镀液接触，以在第一表面形成第一栅线电极；在第二表面形成第二图形化的掩膜层；利用电镀或光诱导结合电镀在第二表面形成第二栅线电极。本发明可以提升电池片对光源的利用率，避免使用铜种子层工艺步骤，减少溅射损伤和去铜损伤，有助于提升栅线电极的拉脱力和电镀均
2024-01-08
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光伏器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种叉指背接触(IBC)光伏器件，包括位于本征层(5)上的第一图案化硅层(2)，并且具有与所述衬底(3)的掺杂类型相同的掺杂类型。第一电荷收集部分(21)被沉积在本征层(5)的预定区域上，并且包括位于所述预定区域和所述至少部分纳米晶层部分(2b)之间的每个非晶层部分(2a)。非晶层部分(2a)的宽度大于纳米晶层部分(2b)的宽度。在第一图案化硅层(2)的顶部沉积第二纳米晶硅层(4)，第二纳米晶硅层具有第二类型掺杂，该第二类型掺杂是相对于所述第一图案化硅层(2)的掺杂类型而言为p型掺杂或n型掺杂
2024-01-09
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