用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104321882104321882A(43)申请公布日2015.01.28(21)申请号201280062486.0(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限(22)申请日2012.10.16公司11286代理人尹淑梅(30)优先权数据(51)Int.Cl.61/547,8062011.10.17USH01L31/0224(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L31/18(2006.01)2014.06.17H01L31/048(2014.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0604012012.10.16(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/059180EN2013.04.25(71)申请人第一太阳能有限公司地址美国俄亥俄州佩里斯堡申请人赵志波本雅明·布勒李政昊马库斯·格勒克勒大卫·黄斯科特·米尔斯邵锐(72)发明人赵志波本雅明·布勒李政昊马库斯·格勒克勒大卫·黄斯科特·米尔斯邵锐权权利要求书4页利要求书4页说明书7页说明书7页附图13页附图13页(54)发明名称用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法(57)摘要本发明描述的是用于光伏器件的接触件和制造该接触件的方法。所述接触件具有透明导电氧化物堆叠件，其中，透明导电氧化物堆叠件的第一部分是通过常压化学气相沉积形成的，透明导电氧化物堆叠件的第二部分是通过物理气相沉积形成的。CN104321882ACN104328ACN104321882A权利要求书1/4页1.一种用于光伏器件的接触件，所述接触件包括：光伏器件的透明导电氧化物堆叠件，其中，透明导电氧化物堆叠件的第一部分通过常压化学气相沉积形成，透明导电氧化物堆叠件的第二部分通过物理气相沉积形成。2.如权利要求1所述的接触件，其中，透明导电氧化物堆叠件包括阻挡层、透明导电氧化物层和缓冲层。3.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层通过常压化学气相沉积形成，透明导电氧化物层和缓冲层通过物理气相沉积形成。4.如权利要求1所述的接触件，其中，接触件是光伏器件的前接触件。5.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层包括SiO2。6.如权利要求2所述的接触件，其中，透明导电氧化物层是从由F-SnO2、Cd2SnO4、ITO、CIO和ZAO组成的组中选择的。7.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层是从由SnO2、ZnO、In2O3和ZnSnxOy组成的组中选择的。8.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层具有大约5nm至大约50nm的表面粗糙度均值。9.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层包括形成在具有大约2.0至大约2.4的折射率的第二材料上方的具有大约1.45至大约1.50的折射率的第一材料。10.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第一材料是从由SiO2、SiAlxOy和Al2O3组成的组中选择的。11.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第二材料是从由SiNx、SnO2、TiO2、Ta2O5和Nb2O5组成的组中选择的。12.如权利要求1所述的接触件，所述接触件还包括通过物理气相沉积形成在透明导电氧化物堆叠件的第一部分上方的粘结层。13.如权利要求12所述的接触件，其中，粘结层是从由SiO2和SiAlxOy组成的组中选择的。14.如权利要求9所述的接触件，所述接触件还包括通过物理气相沉积形成在阻挡层上方的粘结层。15.如权利要求14所述的接触件，其中，粘结层是从由SiO2和SiAlxOy组成的组中选择的。16.如权利要求2所述的接触件，其中，阻挡层具有大约至大约的厚度。17.如权利要求9所述的接触件，其中，阻挡层的第一材料具有大约至大约的厚度，阻挡层的第二材料具有大约至大约的厚度。18.如权利要求2所述的接触件，其中，透明导电氧化物层具有大约至大约的厚度。19.如权利要求2所述的接触件，其中，缓冲层具有大约至大约的厚度。20.如权利要求12所述的接触件，其中，粘结层具有大约至大约的厚度。2CN104321882A权利要求书2/4页21.如权利要求9所述的接触件，所述接触件还包括位于阻挡层下方的从由SiO2、SiAlxOy和Al2O3组成的组中选择的APCVD沉积的材料。22.一种光伏器件，所述光伏器件包括：光伏器件的基底；接触件，设置在基底上方，包括：阻挡层，通过常压化学气相沉积形成；透明导电氧化物层，通过物理气相沉积形成在阻挡层上方；以及缓冲层，通过物理气相沉积形成在透明导电氧化物层上方。23.如权利要求22所述的光伏器件，其中，基底是钠钙玻璃或太阳能浮法玻璃中的一种。24.如权利要求22所述的光伏器件，其中，阻挡层包括SiO2。25.如权利要求22所述的光