制造光伏器件的方法.pdf
戊午****jj
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相关资料
制造光伏器件的方法.pdf
一种制造单面接触式光伏器件(1)的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供光伏活性基板(3),其限定以平行条带布置的多个交替的空穴收集区(3a)和电子收集区(3b);b)跨所述区淀积导电层(5);c)淀积至少一个导电轨道(9),其沿所述区(3a、3b)中的各个区的至少一部分延伸;d)在所述区(3a、3b)中的各个区上选择性地形成电介质层(7),以在相邻区(3a、3b)之间的界面处留下无电介质的暴露区域;e)在所述暴露区域中蚀刻所述导电层(5);f)施加多个互连导线(11a、11b),以使所述空穴收集区(3a)
光伏器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种叉指背接触(IBC)光伏器件,包括位于本征层(5)上的第一图案化硅层(2),并且具有与所述衬底(3)的掺杂类型相同的掺杂类型。第一电荷收集部分(21)被沉积在本征层(5)的预定区域上,并且包括位于所述预定区域和所述至少部分纳米晶层部分(2b)之间的每个非晶层部分(2a)。非晶层部分(2a)的宽度大于纳米晶层部分(2b)的宽度。在第一图案化硅层(2)的顶部沉积第二纳米晶硅层(4),第二纳米晶硅层具有第二类型掺杂,该第二类型掺杂是相对于所述第一图案化硅层(2)的掺杂类型而言为p型掺杂或n型掺杂
硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法.pdf
本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法,其中硅花结构的制造方法包括:将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上;在预设工艺条件下,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,所述刻蚀气体含有碳和氟元素;使所述刻蚀气体电离形成等离子体,并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面,所述预设工艺时间不低于60min,以在所述硅晶圆的表面形成间距为1?100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构,工艺简单,并能通过控制工艺时间,控制硅花结构的覆盖率。
硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法.pdf
本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法,其中硅花结构的制造方法包括:将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上;在预设工艺条件下,向所述反应腔室内通入刻蚀气体,所述刻蚀气体含有碳和氟元素;使所述刻蚀气体电离形成等离子体,并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面,所述预设工艺时间不低于60min,以在所述硅晶圆的表面形成间距为1?100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构,工艺简单,并能通过控制工艺时间,控制硅花结构的覆盖率。
光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种光器件,具备:基底基板,包含硅;多个种晶,设置在基底基板上;以及多个3-5族化合物半导体,与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配,其中,在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体,该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体,在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。