蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115161641A(43)申请公布日2022.10.11(21)申请号202210798434.5(22)申请日2022.07.08(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人郁操董刚强(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师刘灿(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图4页(54)发明名称蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺(57)摘要本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺。本发明通过按照一定用量比例复配特定种类的唑类化合物、有机酸以及二价铜盐，制得了性能优越的蚀刻液添加剂，该蚀刻液添加剂用于蚀刻液中时，能有效对金属铜的蚀刻速度进行控制，不易造成过蚀、侧蚀等不良现象，且使得蚀刻可以在较低温度下进行，不会对蚀刻液的溶铜能力和稳定性造成影响，能有效提升金属铜蚀刻的品质，并降低生产成本。CN115161641ACN115161641A权利要求书1/1页1.一种蚀刻液添加剂，其特征在于，按质量百分比计，所述蚀刻液添加剂的原料包括以下组分：唑类化合物4％～20％、有机酸5％～25％、二价铜盐3％～15％、以及第一溶剂；其中，所述唑类化合物为苯并三氮唑、1‑羟甲基苯并三氮唑、1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯酸甲酯以及聚(1‑苯并三氮唑‑甲基丙烯酸甲酯‑丙烯酸甲酯)中的一种或多种，所述有机酸为柠檬酸、乙酸、磺酸、亚磺酸以及硫羧酸中的一种或多种，所述二价铜盐为硫酸铜、硝酸铜以及醋酸铜中的一种或多种。2.一种蚀刻液，其特征在于，包括权利要求1所述的蚀刻液添加剂、微蚀刻体系以及第二溶剂。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述微蚀刻体系为体系A或体系B：体系A包含硫酸以及过硫酸盐；包括所述体系A的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的量浓度为0.95mol/L～1.05mol/L，过硫酸根离子的物质的量浓度为0.15mol/L～0.25mol/L；体系B包含硫酸以及过氧化氢；包括所述体系B的蚀刻液中，硫酸根离子的物质的量浓度为0.95mol/L～1.05mol/L，过氧化氢分子的物质的量浓度为1.4mol/L～1.5mol/L；每1L所述蚀刻液对应的所述蚀刻液添加剂的用量为2mL～10mL。4.如权利要求2或3所述的蚀刻液在金属铜蚀刻中的应用。5.一种太阳能电池表面籽铜层的蚀刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：对太阳能电池喷洒权利要求2或3所述的蚀刻液，进行蚀刻处理，并控制蚀刻处理的温度为15℃～25℃；其中，所述太阳能电池的表面还包括铜栅线，所述籽铜层位于相邻两根所述铜栅线之间。6.根据权利要求5所述的蚀刻工艺，其特征在于，所述蚀刻处理的时间为0.5min～2min。7.根据权利要求5所述的蚀刻工艺，其特征在于，所述太阳能电池的透明导电氧化物薄膜层的材质包括氧化铟锡、氧化锌锡、氧化铟镉以及氧化铟镁中的一种或多种。8.根据权利要求7所述的蚀刻工艺，其特征在于，所述太阳能电池的透明导电氧化物薄膜层的材质为氧化铟锡，且氧化铟锡中锡元素与铟元素的质量比为1:(15～40)。9.根据权利要求5所述的蚀刻工艺，其特征在于，进行所述蚀刻处理时，还包括同时进行气体吹扫处理或真空抽气处理；其中，所述气体吹扫处理的吹扫速率为2m/s～4m/s，吹扫气体选自空气、氮气以及氩气中的一种或多种；所述真空抽气处理采用的真空泵的压力为1.05MPa～1.2MPa。10.根据权利要求5～9任一项所述的蚀刻工艺，其特征在于，所述蚀刻工艺还包括以下处理步骤中的一种或多种：湿润处理、水洗处理以及烘干处理；其中，采用电阻率＞0.5MΩ·cm的纯水进行所述湿润处理，且所述湿润处理在所述蚀刻处理之前进行，所述湿润处理的温度为15℃～30℃；和/或所述水洗处理在所述蚀刻处理之后进行，所述水洗处理的温度为30℃～60℃；和/或所述烘干处理在所述蚀刻处理之后进行，所述烘干处理的温度为50℃～190℃。2CN115161641A说明书1/10页蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺技术领域[0001]本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺。背景技术[0002]太阳能电池的制备中，采用物理气相沉积(PVD)技术在透明导电氧化物薄膜(TCO)表面进行籽铜沉积时，往往会覆盖所有TCO区域，对此，需要蚀刻去除铜栅线区域外的籽铜。[0003]传统的蚀刻工艺中，往往采用过硫酸体系(过硫酸盐+硫酸，或过氧化氢+硫酸)作为蚀刻液，并辅以槽式蚀刻方式对PVD籽铜进行蚀刻。然而，传统的过硫酸蚀刻液体系存在溶铜能力较低的问题，因此对蚀刻温度有一定的要求，但过高