蚀刻液及其制备方法和应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113957441A(43)申请公布日2022.01.21(21)申请号202111276160.5H01L21/3213(2006.01)(22)申请日2021.10.29H01L21/768(2006.01)(71)申请人光华科学技术研究院（广东）有限公司地址511400广东省广州市番禺区石楼镇创启路63号创启7号楼申请人广东光华科技股份有限公司广东东硕科技有限公司(72)发明人周志强袁明军李治文杜小林胡秋雨刘彬云(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人黎金娣(51)Int.Cl.C23F1/26(2006.01)权利要求书2页说明书18页附图1页(54)发明名称蚀刻液及其制备方法和应用(57)摘要本发明涉及一种蚀刻液及其制备方法应用，该蚀刻液包括水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂；所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼羟基，或所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼酸频哪醇酯基。该蚀刻液能快速蚀刻腐蚀钛而对铝的腐蚀作用较小，蚀刻系数大，能够满足目前半导体晶圆封装工艺制作精细线路的制程要求，且安全可靠，对环境污染小，具有广阔的应用前景。CN113957441ACN113957441A权利要求书1/2页1.一种蚀刻液，其特征在于，包括：水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂；所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼羟基，或所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼酸频哪醇酯基。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述铝缓蚀剂具有式(I‑1)‑(I‑4)任一所示的结构：3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述铝缓蚀剂选自喹啉‑5‑硼酸、喹啉‑3‑硼酸、3‑喹啉硼酸频哪醇酯、喹啉‑4‑硼酸频哪醇酯、6‑喹啉硼酸频哪醇酯、喹啉‑8‑硼酸频哪醇酯、7‑异喹啉硼酸频哪醇酯和4‑异喹啉硼酸中的至少一种。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，每升所述蚀刻液包括水，所述氟盐1g～20g，所述铝缓蚀剂1g～20g，及所述氧化剂1g～20g。5.根据权利要求1至4任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述氟盐选自氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化铝和氟硅酸钠中的至少一种；和/或所述氧化剂选自过硫酸氢钾、间氯过氧苯甲酸、过氧化氢和叔丁基过氧化氢中的至少一种。6.根据权利要求5所述的蚀刻液，其特征在于，所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为喹啉‑5‑硼酸，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢；或所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为4‑异喹啉硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾；或所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为喹啉‑5‑硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾；或所述氟盐为氟硅酸钠，所述铝缓蚀剂为3‑喹啉硼酸频哪醇酯和4‑异喹啉硼酸中的至少一种，所述氧化剂为间氯过氧苯甲酸；或所述氟盐为氟化氢铵，所述铝缓蚀剂为喹啉‑3‑硼酸，所述氧化剂为过氧化氢；或所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为3‑喹啉硼酸频哪醇酯，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢。7.根据权利要求6所述的蚀刻液，其特征在于，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，喹啉‑5‑硼酸5g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g；或每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，4‑异喹啉硼酸5g～10g，及过硫酸氢钾10g～20g；或每升所述蚀刻液包括水，氟化铝5g～15g，喹啉‑5‑硼酸10g～15g，及过硫酸氢钾1g～10g；或每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠5g～15g，3‑喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及间氯过2CN113957441A权利要求书2/2页氧苯甲酸5g～15g；或每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵10g～20g，喹啉‑3‑硼酸1g～15g，及过氧化氢10g～20g；或每升所述蚀刻液包括水，氟化铝10g～20g，3‑喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g；或每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠10g～20g，4‑异喹啉硼酸10g～15g，及间氯过氧苯甲酸10g～20g。8.权利要求1至7任一项所述的蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：将所述的水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂混合。9.权利要求1至7任一项所述的蚀刻液在蚀刻含钛部件中的应用。10.一种蚀刻含钛部件的方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述含钛部件浸泡于权利要求1至7任一项所述的蚀刻液。3CN113957441A说明书1/18页蚀刻液及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明半导体晶圆封装技术领域，特别是涉及一种蚀刻液及其制备方法和应用。背景技术[0002]目前在半导体封装的晶圆级封装工艺中，制造新一代电触点时，在铜线路的底层沉积一层钛金属阻挡层，其厚度通常小于铜线路的厚度。待铜线路制作完成后，再将线路之外的钛金属层蚀刻，形成独立的线路。但是，在基材和钛金属层中间有一层铝金属层，在除去最外层的