高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液及其制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102925896A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102925896A(43)申请公布日2013.02.13(21)申请号201210379067.1(22)申请日2012.10.09(71)申请人江阴润玛电子材料股份有限公司地址214423江苏省无锡市江阴市周庄镇长青路2号(72)发明人戈士勇(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所32210代理人唐纫兰曾丹(51)Int.Cl.C23F1/20(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书88页页(54)发明名称高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液及其制备工艺(57)摘要本发明涉及一种高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述铝蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、无机氯基化合物、无机硝酸盐化合物、表面活性剂和纯水；所述表面活性剂为阴离子表面活性剂和聚氧乙烯型非离子表面活性剂的混合物。所述工艺是先按配比称重配置；将磷酸加入配料罐中，搅拌下加入醋酸，将磷酸和醋酸搅拌均匀后，搅拌下加入硝酸，因为浓硝酸稀释时将放出大量热，而后将磷酸、醋酸和硝酸混合均匀；往混匀的磷酸、醋酸和硝酸中加入氯化钾或硝酸钾和表面活性剂，然后加入纯水，充分搅拌；将混合物通入过滤器中过滤，得到所述铝蚀刻液。本发明蚀刻液对金属铝蚀刻速率高，反应稳定，无残留，基本无侧蚀现象。CN1029586ACN102925896A权利要求书1/1页1.一种高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述铝蚀刻液包括磷酸、醋酸、硝酸、无机氯基化合物、无机硝酸盐化合物、表面活性剂和纯水；所述表面活性剂为阴离子表面活性剂和聚氧乙烯型非离子表面活性剂的混合物；所述阴离子表面活性剂，为十二烷基苯磺酸钠和十二烷基苯磺酸的组合物，或者是脂肪醇硫酸钠和脂肪醇硫酸的组合物，或者是十二烷基硫酸钠和十二烷基硫酸的组合物；所述聚氧乙烯型非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚的组合物；所述无机氯基化合物是可以离解为氯离子的化合物；所述无机硝酸盐化合物为金属硝酸盐；其中，在所述每种原料的重量百分比分别为：所述六种原料中每种原料的重量百分比分别为：磷酸70%~78%、醋酸6%~10%、硝酸4%~6%、无机硝酸盐化合物0.1%~0.2%、无机氯基化合物0.2%~0.3%、阴离子表面活性剂0.01~0.1wt%、聚氧乙烯型非离子表面活性剂0.05~0.5wt%、余量为纯水。2.根据权利要求1所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述阴离子表面活性剂组合物中，盐和酸的质量比为1:0.1-5。3.根据权利要求1所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述聚氧乙烯型非离子表面活性剂，脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基酚聚氧乙烯醚的质量比为1:0.5-2。4.根据权利要求1所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述无机氯基化合物为氯化钾；所述无机硝酸盐化合物为硝酸钾。5.根据权利要求4所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述氯化钾纯度高于98%；所述硝酸钾纯度高于99.5%。6.根据权利要求1所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液，其特征在于：所述磷酸、醋酸、硝酸纯度分别为：磷酸85.5%、醋酸99.8%、硝酸61.5%。7.制备如权利要求1所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液的工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下加工步骤：第一步：将磷酸、醋酸、硝酸、无机氯基化合物、无机硝酸盐化合物、表面活性剂和纯水按配比称重配置；第二步：将磷酸加入配料罐中，搅拌下加入醋酸，将磷酸和醋酸搅拌均匀后，搅拌下加入硝酸，将磷酸、醋酸和硝酸混合均匀；第三步：往混匀的磷酸、醋酸和硝酸中加入无机氯基化合物、无机硝酸盐化合物和表面活性剂，然后加入纯水，充分搅拌；第四步：将混合物通入过滤器中过滤，得到所述铝蚀刻液。8.根据权利要求7所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述搅拌与混合是在常温、常压的状态下进行，所述搅拌的时间为1.5~3小时，搅拌的速度为60~85转/分钟。9.根据权利要求7或8所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述搅拌为机械搅拌或磁力搅拌。10.根据权利要求7所述的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述过滤器的微滤膜孔径为0.05～0.15μm。2CN102925896A说明书1/8页高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液及其制备工艺技术领域[0001]本发明涉及在例如电子部件的配线形成等中使用的、用于蚀刻铝膜的铝蚀刻液组合物及其制备工艺，更详细来说，设计用于蚀刻在构成半导体器件如半导体元件和液晶显示器元件的一种铝蚀刻液组合物及其制备工艺。背景技术[0002]近年来，越来越需要在微组装中精密度较高的电极和栅极布线材料，用于半导体器件诸如半导