一种高功率芯片的半成品结构、器件及其封装工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547852A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211524133.X(22)申请日2022.12.01(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230088安徽省合肥市高新区习友路3699号(72)发明人张光耀(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L21/78(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/482(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种高功率芯片的半成品结构、器件及其封装工艺(57)摘要本发明申请公开了一种高功率芯片的半成品结构、器件及其封装工艺，包括以下步骤：半成品预制步骤：将芯片及其上的内引脚封装，芯片背面和内引脚顶面分别与封装体相对的两面共面且外露，封装体与芯片背面共面的一面电镀出焊脚，封装体与内引脚顶面共面的一面电镀重布线层；底座预制步骤：在底座相对的两表面电镀焊盘，焊盘的位置和数量与焊脚相匹配；贴装步骤：将半成品预制步骤中的产品焊脚对应底座一表面的焊盘焊接贴装，再次封装，底座底面焊盘外露，后切割为成品单元，本申请通过使用半导体封装工艺结合重布线层代替铜跳线工艺的铜桥，封装尺寸相比可进一步的缩小，生产周期短、成本降低、成品性能无差别。CN115547852ACN115547852A权利要求书1/1页1.一种高功率芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：半成品预制步骤：将芯片及其上的内引脚封装，芯片背面和内引脚顶面分别与封装体相对的两面共面且外露，封装体与芯片背面共面的一面电镀出焊脚，封装体与内引脚顶面共面的一面电镀重布线层；底座预制步骤：在底座相对的两表面电镀焊盘，焊盘的位置和数量与焊脚相匹配；贴装步骤：将半成品预制步骤中的产品焊脚对应底座一表面的焊盘焊接贴装，再次封装，底座底面焊盘外露，后切割为成品单元。2.根据权利要求1所述的高功率芯片的封装工艺，其特征在于，所述半成品预制步骤中包括：S1：提供一载板，将带有内引脚的芯片正装贴片后塑封，研磨暴露出内引脚顶面，并剥去载板，形成封装体；S2：在封装体上钻过孔，重布线层与内引脚和暴露于过孔的焊脚电性连接；S3：切割为半成品单元。3.根据权利要求2所述的高功率芯片的封装工艺，其特征在于，所述底座预制步骤中，底座通过钢网印刷的方式在焊盘位置处刷上锡膏，以便于焊接。4.根据权利要求3所述的高功率芯片的封装工艺，其特征在于，所述底座预制步骤中，底座为基板或者贴片框架。5.一种高功率芯片的半成品结构，包括封装体和带有内引脚的芯片，所述芯片、内引脚封装在封装体内部，其特征在于，所述芯片背面和内引脚顶面分别与封装体相对的两面共面且外露，所述封装体与芯片背面共面的一面电镀出焊脚，所述封装体与内引脚顶面共面的一面电镀重布线层。6.根据权利要求5所述的高功率芯片的半成品结构，其特征在于，所述芯片通过载板粘接封装后剥去载板，以实现芯片背面与封装体共面且外露。7.根据权利要求5所述的高功率芯片的半成品结构，其特征在于，所述封装体靠近内引脚的一面封装后通过研磨方式，以实现内引脚顶面与封装体共面且内引脚顶面外露。8.根据权利要求5所述的高功率芯片的半成品结构，其特征在于，所述封装体上通过激光蚀刻的方式钻出过孔，以暴露出焊脚，所述重布线层通过过孔电性连接焊脚，且重布线在封装体上与外露的芯片内引脚电性连接。9.根据权利要求5所述的高功率芯片的半成品结构，其特征在于，所述封装体是采用环氧树脂塑封形成的。10.一种高功率芯片器件，其特征在于，包括将权利要求5所述的高功率芯片的半成品结构与元器件封装形成堆叠类模块。2CN115547852A说明书1/5页一种高功率芯片的半成品结构、器件及其封装工艺技术领域[0001]本发明申请属于芯片封装技术领域，尤其涉及一种高功率芯片的半成品结构、器件及其封装工艺。背景技术[0002]功率芯片又称为电力电子器件，具体是指具有处理高电压、大电流的能力的功率型半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设网络通讯领域的手机、电话以及其他各种终端和局端设备，功率半导体器件一般采用功率半导体封装工艺，如ClipBonding封装，其大致的制造过程为将整片晶圆进行切割后，取用通过晶圆测试合格的晶片单元，晶片单元被贴片粘接在导线框架或基板上，之后通过铜跳线工艺（ClipBonding）将晶圆单元与导线框架或者基板进行电性连接，之后封装形成芯片。[0003]铜跳线工艺作为新型的功率半导体封装工艺，其应