芯片电极引出结构及其封装结构、功率半导体器件模块.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763409A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211406272.2(22)申请日2022.11.10(71)申请人北京智慧能源研究院地址102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号(72)发明人杜玉杰魏晓光孙帅代安琪唐新灵金锐(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250专利代理师陈丕光(51)Int.Cl.H01L23/48(2006.01)H01L23/485(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称芯片电极引出结构及其封装结构、功率半导体器件模块(57)摘要本发明公开了芯片电极引出结构及其封装结构、功率半导体器件模块，芯片电极引出结构包括：第一源极模块的第一侧面、第二源极模块的第一侧面、栅极模块的第一侧面、功率芯片的漏极均固定至漏极金属板的第一侧面上；第一源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为开尔文源极；第二源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为功率回路源极；栅极模块的第二侧面与功率芯片的栅极连接并引出。本发明实施例将功率芯片的三个电极引出，从而在后续的压接式封装中，在功率芯片不直接承受压力的同时，实现了压接式封装和短路失效。CN115763409ACN115763409A权利要求书1/2页1.一种芯片电极引出结构，其特征在于，包括：漏极金属板、第一源极模块、第二源极模块、栅极模块及至少一个功率芯片，其中，所述第一源极模块的第一侧面、所述第二源极模块的第一侧面、所述栅极模块的第一侧面、所述功率芯片的漏极均固定至所述漏极金属板的第一侧面上；所述第一源极模块的第二侧面与所述功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为开尔文源极；所述第二源极模块的第二侧面与所述功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为功率回路源极；所述栅极模块的第二侧面与所述功率芯片的栅极连接并引出。2.根据权利要求1所述的芯片电极引出结构，其特征在于，所述功率芯片的第一侧面上布置所述功率芯片的漏极，所述功率芯片的第二侧面上布置所述功率芯片的栅极及源极；所述功率芯片的第一侧面固定至所述漏极金属板的第一侧面上。3.根据权利要求2所述的芯片电极引出结构，其特征在于，所述第一源极模块包括：第一基板及第一碟簧组件；所述第一基板的第一侧面及第二侧面均为金属面，所述第一基板的第一侧面固定至所述漏极金属板的第一侧面上，所述第一基板的第二侧面连接所述功率芯片的源极；所述第一碟簧组件的下端固定至所述第一基板的第二侧面，所述第一碟簧组件的上端引出所述功率芯片的源极。4.根据权利要求3所述的芯片电极引出结构，其特征在于，所述第二源极模块包括：第二基板及第二碟簧组件；所述第二基板的第一侧面及第二侧面均为金属面，所述第二基板的第一侧面固定至所述漏极金属板的第一侧面上，所述第二基板的第二侧面连接所述功率芯片的源极；所述第二碟簧组件的下端固定至所述第二基板的第二侧面，所述第二碟簧组件的上端引出所述功率芯片的源极。5.根据权利要求4所述的芯片电极引出结构，其特征在于，所述栅极模块包括：第三基板及栅极探针；所述第三基板的第一侧面及第二侧面均为金属面，所述第三基板的第一侧面固定至所述漏极金属板的第一侧面上，所述第三基板的第二侧面连接所述功率芯片的栅极；所述栅极探针的下端固定至所述第三基板的第二侧面，所述栅极探针的上端引出所述功率芯片的栅极。6.根据权利要求5所述的芯片电极引出结构，其特征在于，还包括：键合线；所述功率芯片的源极通过所述键合线固定至所述第一基板的第二侧面上；所述功率芯片的栅极通过所述键合线固定至所述第三基板上。7.根据权利要求4所述的芯片电极引出结构，其特征在于，还包括：第一金属件及第二金属件；第一金属件的第一侧面固定至所述功率芯片的源极上；所述第二金属件的一端固定至所述第一金属件的第二侧面上，所述第二金属件的另一2CN115763409A权利要求书2/2页端固定至所述第二基板的第二侧面上。8.一种芯片电极引出结构的封装结构，其特征在于，包括：至少一个子单元；每个子单元均包括：权利要求5‑7任一项所述的芯片电极引出结构及子单元框架；所述芯片电极引出结构置于所述子单元框架内部。9.根据权利要求8所述的芯片电极引出结构的封装结构，其特征在于，还包括：源极金属板、驱动回路PCB板、外壳，其中，所述源极金属板作为所述外壳的底部；所述外壳内部设置空腔，所述外壳上不封顶，所述外壳的任一侧面开设缺口；所述子单元及所述驱动回路PCB板置于所述空腔内；所述驱动回路PCB板固定至所述源极金属板的第一侧面上，所述驱动回路PCB板设置源极区、栅极区，所述驱动回路PCB板的源极区、栅