一种射频芯片模块的堆叠结构及其封装方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115692384A(43)申请公布日2023.02.03(21)申请号202211503739.5(22)申请日2022.11.29(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230088安徽省合肥市高新区习友路3699号(72)发明人张光耀(51)Int.Cl.H01L23/64(2006.01)H01L23/535(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种射频芯片模块的堆叠结构及其封装方法(57)摘要本发明申请公开了一种射频芯片模块的堆叠结构及其封装方法，包括封装体、芯片和埋容基板，所述封装体包封倒装贴片在埋容基板的芯片承载区域的芯片，所述封装体内还包封有：电感层，所述电感层通过电镀形成在封装体中且位于芯片正上方，所述电感层的层与层之间通过电镀的金属柱电性连接；线路，所述线路通过电镀形成，以实现电感层与埋容基板的电性连接，所述线路位于芯片的周围，本发明申请采用埋容基板与电镀的电感层连接，合理的利用空间，采用倒装芯片工艺，寄生电感小，减小封装尺寸，适用于消费类终端，电镀的电感层层数可调、层间距可调，频率适应范围广，从低频到高频皆可调整使用，工艺简单，成本低。CN115692384ACN115692384A权利要求书1/2页1.一种射频芯片模块的堆叠结构，包括封装体、芯片和埋容基板，所述封装体包封倒装贴片在埋容基板的芯片承载区域的芯片，其特征在于，所述封装体内还包封有：电感层，所述电感层通过电镀形成在封装体中且位于芯片正上方，所述电感层的层与层之间通过电镀的金属柱电性连接；线路，所述线路通过电镀形成，以实现电感层与埋容基板的电性连接，所述线路位于芯片的周围；电容，电容预埋在埋容基板的内部，且在埋容基板内部电镀有电路，以实现电感和芯片与电容的电性连接。2.根据权利要求1所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述埋容基板上表面设置有线路承载区域，该线路承载区域位于芯片承载区域的周围，用以实现与线路的电性连接。3.根据权利要求2所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述埋容基板的下表面设置有外露的外引脚，以实现封装体的电路引出。4.根据权利要求3所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述芯片倒装贴片是将芯片引脚通过锡膏焊接实现与芯片承载区域的连接。5.根据权利要求4所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述封装体是通过注塑的方式多次包封形成。6.根据权利要求1所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述电感层沿垂直于埋容基板倒装芯片面的俯视图为方螺旋形。7.根据权利要求1所述的射频芯片模块的堆叠结构，其特征在于，所述电感层沿垂直于埋容基板倒装芯片面的俯视图为梳齿形。8.一种射频芯片模块的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：倒装贴片步骤：提供一埋容基板，在埋容基板上的芯片承载区域倒装芯片；电镀电感步骤：在芯片背面上方电镀电感层，以替代电感元器件，电镀线路，该线路将埋容基板的线路承载区域和电感层电性连接；封装步骤：将埋容基板上的芯片、线路、电感层封装在封装体内，埋容基板的外引脚外露。9.根据权利要求8所述的射频芯片模块的封装方法，其特征在于，所述倒装贴片步骤中，在埋容基板的芯片承载区域刷上锡膏，该芯片正面朝向埋容基板贴装，芯片引脚焊接在芯片承载区域。10.根据权利要求9所述的射频芯片模块的封装方法，其特征在于，所述封装步骤中，包括倒装贴片步骤后进行第一次包封，第一次包封后在封装料上钻孔形成过孔，以暴露出埋容基板上的线路承载区域，所述线路电镀在过孔处。11.根据权利要求10所述的射频芯片模块的封装方法，其特征在于，所述封装步骤中，还包括电镀电感层步骤过程中进行的层层包封，所述电感层之间通过其两端电镀的金属柱实现电性连接。12.根据权利要求11所述的射频芯片模块的封装方法，其特征在于，所述电感层沿垂直于埋容基板倒装芯片面的俯视图为方螺旋形。13.根据权利要求12所述的射频芯片模块的封装方法，其特征在于，所述电感层沿垂直2CN115692384A权利要求书2/2页于埋容基板倒装芯片面的俯视图为梳齿形。3CN115692384A说明书1/5页一种射频芯片模块的堆叠结构及其封装方法技术领域[0001]本发明申请属于芯片封装技术领域，尤其涉及一种射频芯片模块的堆叠结构及其封装方法。背景技术[0002]随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富，射频芯片的封装技术是集成电路封装技术中的一种，为了减少射频芯片在印刷电路板上的面积，射频芯片模块化将是主要的发展趋势。[0003]射频芯片模块大多采用已经封装好的