一种AlCu合金靶材制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115852320A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211461773.0B22F9/08(2006.01)(22)申请日2022.11.21C22C21/12(2006.01)(71)申请人基迈克材料科技（苏州）有限公司地址215000江苏省苏州市吴江汾湖经济开发区汾杨路东侧(72)发明人张玉玲(74)专利代理机构苏州企知鹰知识产权代理事务所(普通合伙)32420专利代理师薛芳芳(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)B22F5/00(2006.01)B22F3/02(2006.01)B22F3/20(2006.01)B22F3/24(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种AlCu合金靶材制备方法(57)摘要本发明公开了一种AlCu合金靶材制备方法，涉及真空镀膜领域，旨在解决常规AlCu合金靶材气孔、表面缺陷较多的问题，其技术方案要点是：S1：按照原子质量份数，将99％～99.9％的Al粉末、0.1％～1％的Cu粉体倒入真空气雾化设备中，制备AlCu合金粉末；S2：将所述混合粉体进行压制成型，得到AlCu合金圆棒形毛坯；S3：将所述合金圆棒形毛坯进行挤压成型，挤压后快速冷却产品，得到AlCu合金毛坯管靶材或者平面圆靶材；S4：将上述靶材进行退火；S5：将上述合金毛坯管靶材与6系铝合金加工后焊接并加工得到AlCu旋转靶材；将上述合金毛坯平面圆靶材加工后与Cu背板涂铟绑定并加工得到AlCu平面靶材。本发明的一种AlCu合金靶材制备方法具有均匀的化学成分，表面质量高，气孔少。CN115852320ACN115852320A权利要求书1/1页1.一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选用5N纳米Al粉末和纳米Cu粉末作为原料，按照原子质量份数，将99％～99.9％的Al粉末、0.1％～1％的Cu粉体倒入真空气雾化设备中，温度1000～1200℃，压力3～5MPa，制备AlCu合金粉末；S2：将所述合金粉末进行压制成型，得到AlCu合金圆棒形毛坯；S3：将所述合金圆棒形毛坯进行挤压成型，挤压后快速冷却产品，得到AlCu合金毛坯管靶材或者平面圆靶材；S4：将上述靶材进行退火；S5：将上述合金毛坯管靶材与6系铝合金加工后焊接并加工得到AlCu旋转靶材；将上述合金毛坯平面圆靶材加工后与Cu背板涂铟绑定并加工得到AlCu平面靶材。2.根据权利要求1所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S1步骤中，Al粉和Cu粉的规格均选用D50为60～100um。3.根据权利要求1所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S2步骤中，压制成型的设备为四柱液压机，压力为400～600MPa，保压时间5～10min。4.根据权利要求1所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在步骤S3中，挤压成型设备为5KT挤压机，挤压温度为300～400℃，毛坯的加热温度为300～400℃。5.根据权利要求4所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S3步骤中，平面圆靶材通过正向挤压或反向挤压完成。6.根据权利要求4所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S3步骤中，管靶材通过反向挤压完成。7.根据权利要求1所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S4步骤中，退火温度为250～400℃，保温时间为1～3h，退火冷却方式为随炉冷却。8.根据权利要求1所述的一种AlCu合金靶材制备方法，其特征在于：在S5步骤中，绑定的步骤包括准备合金毛坯平面圆靶材和Cu背板，启动加热平台，粘贴高温胶带保护不需要绑定的区域，涂抹加热的铟液在靶材与背板的结合处，靶材与背板对接校平，去掉高温胶带，完成绑定。2CN115852320A说明书1/4页一种AlCu合金靶材制备方法技术领域[0001]本发明涉及真空镀膜领域，更具体地说，它涉及一种AlCu合金靶材制备方法。背景技术[0002]在高纯铝中加入微量的铜元素，制备的AlCu合金具有优异的导电性广泛应用于显示和半导体行业，常规AlSi合金靶材因其导电性一般而逐步被AlCu合金靶材替代。常规AlCu合金靶材一般都通过熔炼浇铸后通过加工获得，其表面缺陷较多，经常会有气孔存在。[0003]因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。发明内容[0004]针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种AlCu合金靶材制备方法，通过粉末冶金的方法获得原料后加工制备的靶材可以获得均匀的化学成分及表面质量。[0005]本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种AlCu合金靶材制备方法，包括以下步骤：[0006]S1：选用5N纳米Al粉末和纳米Cu粉末作为