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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114592173A(43)申请公布日2022.06.07(21)申请号202210029388.2(22)申请日2022.01.11(71)申请人先导薄膜材料有限公司地址230000安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角(72)发明人余飞江佩庭黄宇彬童培云朱刘(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202专利代理师费雯(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C23C14/08(2006.01)B22C9/24(2006.01)C22C20/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图7页(54)发明名称一种CdIn合金靶材及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种CdIn合金靶材及其制备方法,属于靶材制备领域。本发明制备CdIn合金旋转靶通过熔炼法制备,简单快速,成本低廉。本发明制备方法不受制于热压烧结设备及烧结模具的限制,可实现尺寸和形状的自由调整。本发明铸造法制备的靶材具有较高的密度,致密度接近100%,明显优于烧结法制备的掺铟氧化镉靶材95%的致密度。铸造CdIn合金靶材较大程度保留了合金的金属性能,具有良好的塑性和韧性,克服了烧结法制备的掺铟氧化镉靶材脆性极大,磕碰及靶材溅射过程工艺控制稍微不良就可能造成开裂导致报废靶材的缺点。CN114592173ACN114592173A权利要求书1/1页1.一种CdIn合金靶材的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)Cd锭与In锭加热熔化得到熔融物;(2)将步骤(1)的熔融物混合均匀进行浇注;(3)浇注后冷却脱模得到CdIn靶材圆筒;(4)将步骤(3)CdIn靶材圆筒加工至产品尺寸;(5)将步骤(4)加工后的CdIn靶材圆筒与不锈钢背管绑定,得到CdIn合金靶材。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述Cd锭与In锭的质量比为(90‑99):(1‑10)。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述Cd锭与In锭的纯度大于4N。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述浇注的温度为350‑430℃。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述熔融物混合均匀的方式为搅拌1‑15min。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述熔融物混合均匀的方式为搅拌5‑15min。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述浇注的速度为2‑10mm/s。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述浇注的速度为6mm/s。9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述冷却的方式为以5‑10℃/min的速度空冷至室温。10.如权利要求1‑9任一项所述方法制备得到的CdIn合金靶材在CdO薄膜制备中的应用。2CN114592173A说明书1/4页一种CdIn合金靶材及其制备方法技术领域[0001]本发明属于靶材制备技术领域,具体涉及一种CdIn合金靶材及其制备方法。背景技术[0002]CdO以其高载流子浓度、低电阻率、可见光区域高透过率等特点,被广泛的应用于透明电极、太阳能电池、光电晶体管和气敏传感器等领域。然而,CdO的禁带宽度过窄极大地限制了其在光电器件领域的应用。而掺杂In可以改善CdO薄膜的性能,提高其在可见光的透过率,最终提高太阳能的利用效率。[0003]目前制备掺铟氧化镉靶材的途径主要是通过粉末烧结方法制备短节掺铟氧化镉靶材,然后通过铟绑定成长靶材。这种方式制备难度大,流程长,制备价格昂贵,而降低太阳能薄膜制备成本是目前的主要发展趋势。因此,急需一种工艺简单、低成本的CdIn合金靶材及其制备方法。因此,如何通过简单工艺在低成本下制备CdIn合金靶材,达到使用要求成为亟待攻克的技术难题。发明内容[0004]本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种CdIn合金靶材及其制备方法。本发明靶材在适当氧气、氩气环境下,可以反应溅射制备掺铟氧化镉薄膜,取代掺铟氧化镉靶材。[0005]为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:本发明提供了一种CdIn合金靶材的制备方法,所述方法包括以下步骤:[0006](1)Cd锭与In锭加热熔化得到熔融物;[0007](2)将步骤(1)的熔融物混合均匀进行浇注;[0008](3)浇注后,冷却脱模得到CdIn靶材圆筒;[0009](4)将步骤(3)CdIn靶材圆筒加工至产品尺寸;[0010](5)将步骤(4)加工后的CdIn靶材圆筒与不锈钢背管绑定,得到CdIn合金靶材。[0011]本发明制备CdIn合金旋转靶通过熔炼法制备,简单快速,成本低廉。而传统烧结法受制于热压烧结设备及烧结模具的限制,烧结法只能制备单节小型靶材,本专利