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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116135915A(43)申请公布日2023.05.19(21)申请号202111370953.3(22)申请日2021.11.18(71)申请人达迈科技股份有限公司地址中国台湾新竹县(72)发明人黄奕嘉(74)专利代理机构北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)11446专利代理师项荣何春晖(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L79/08(2006.01)C08K3/38(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称高导热聚亚酰胺膜的制作方法(57)摘要本申请提供了一种高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其包括有下列步骤;提供一聚酰胺酸溶液;将该聚酰胺酸溶液添加催化剂及氮化硼浆料后涂布于一承载体上,经150℃以下低温烘烤成胶态聚酰亚胺膜;将该胶态聚酰亚胺膜进行横向(TD)收缩处理,并经300℃度以上高温烘烤成聚酰亚胺膜,使该聚酰亚胺膜与胶态聚酰亚胺膜横轴宽度比为小于1。CN116135915ACN116135915A权利要求书1/1页1.一种高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其包括有下列步骤;提供一聚酰胺酸溶液;将所述聚酰胺酸溶液添加催化剂及氮化硼浆料后涂布于一承载体上,经150℃以下低温烘烤成胶态聚酰亚胺膜;将所述胶态聚酰亚胺膜进行轴向收缩处理,并经300℃以上高温烘烤成聚酰亚胺膜,使所述聚酰亚胺膜与胶态聚酰亚胺膜的横轴宽度比为小于1。2.如权利要求1所述的高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述聚酰胺酸溶液是由二胺、二酐于溶剂中反应而成。3.如权利要求1所述的高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述氮化硼添加量占高导热聚酰亚胺膜的体积分率23.7~52.1%,使所述高导热聚酰亚胺膜的热传导系数K>0.5W/mK。4.如权利要求1所述的高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述聚酰亚胺膜与胶态聚酰亚胺膜的横轴宽度比为小于1至0.5。2CN116135915A说明书1/5页高导热聚亚酰胺膜的制作方法技术领域[0001]本申请为一种高导热聚酰亚胺膜的制作方法,特别是指一种可制成一具有高导热聚酰亚胺膜的制造方法。背景技术[0002]近年来,对于电子组件与设备越来越要小型化、轻量化,伴随而来的在设备的小型化上,聚亚酰胺在电子技术领域上被广泛的使用。除此之外,聚亚酰胺由于其耐热性、耐化性以及其稳定性良好的缘故,目前被广泛的使用。虽然透明聚酰亚胺薄膜具有良好的光学性,耐温性,但在热稳定性上仍然不足。[0003]由于电子组件与设备的小型化与电路密度提高,在大量数据处理高速化的同时,对于组件或设备内生热的散热手段亦受到重视,为了处理电子组件与设备内的废热手法,提高电子组件与设备的导热性被认为是有效的手段。目前提升聚亚酰胺导热性的方法是在其中添加填充剂,通常使用氧化铝、氮化硼、氮化铝、氮化硅等的高导热性填充材料。[0004]伴随添加高导热性填料进入聚亚酰胺薄膜中,由于填充材排列不佳或团聚造成其绝缘性或热传导系数的不足。为解决上述的不足,常见的解决方式如下:一、利用不同粒径或是不同形状的填充材进行混合添加,改善填充材排列不佳的问题。二、使用表面活性剂搭配物理分散设备进行分散,可以解决填充材团聚的问题。[0005]上述方法有其存在的缺陷,如方法一,使用不同粒径或是不同形状的填充材可以增加聚酰亚胺膜的热传导系数,但是伴随着填充材的添加,聚酰亚胺膜的绝缘特性随之下降。方法二,使用表面改质或表面活性剂解决填充材在聚酰亚胺膜中团聚的问题,但表面改质通常使用强酸或强氧化物进行改质氮化硼,此法伴随着大量的废液与废酸产生;使用表面活性剂由于表面活性剂的热稳定性不如聚酰亚胺,导致添加表面活性剂的聚酰亚胺膜的热稳定性下降及漏电流上升导致绝缘性不佳。[0006]已知一般聚酰亚胺膜的制造方法,是提供一聚酰胺酸溶液;将该聚酰胺酸溶液添加催化剂后涂布于一承载体上,经150℃以下低温烘烤成胶态聚酰亚胺膜;将该胶态聚酰亚胺膜进行横轴(TD)及纵轴(MD)延伸处理,并经300℃以上高温烘烤成聚酰亚胺膜,使该聚酰亚胺膜与胶态聚酰亚胺膜的双轴延伸比为大于1。发明内容[0007]本申请为一种高导热聚酰亚胺膜的制造方法,其包括有下列步骤;提供一聚酰胺酸溶液;将该聚酰胺酸溶液添加催化剂及氮化硼浆料后涂布于一承载体上,经150℃以下低温烘烤成胶态聚酰亚胺膜;及将该胶状的聚酰亚胺膜进行轴向收缩处理,并经300℃以上高温烘烤成聚酰亚胺膜,使该聚酰亚胺膜与胶态聚酰亚胺膜的横轴宽度比为小于1。[0008]其中,所述聚酰胺酸溶液是由二胺、二酐于溶剂中反应而成。[0009]其中,所述氮化硼添加量占高导热聚酰亚胺膜的体积分率23.7~52.1%,使所述高导热聚酰亚胺膜的热传导系数K>0.5W/mK。3CN1161