一种高导热碳膜的低温制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107344853A(43)申请公布日2017.11.14(21)申请号201710515038.6(22)申请日2017.06.29(71)申请人邱成峰地址210000江苏省南京市潥水区拓塘镇拓宁东路368号(72)发明人邱成峰(74)专利代理机构成都华风专利事务所(普通合伙)51223代理人徐丰(51)Int.Cl.C04B35/52(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高导热碳膜的低温制作方法(57)摘要本发明涉及一种高导热碳膜的低温制作方法，属于碳膜制作方法技术领域，包括步骤A、选择厚度为10μm-100μm之间铜箔，将其清洗干净，作为基底材料；B、采用印刷法，将纳米碳浆材料印刷在基体材料表面，印刷厚度在100μm-500μm范围，形成初材；C、将步骤B中的初材置于发热碳化炉中、真空状态或惰性气体保护下加热碳化，碳化温度1000℃-1500℃，碳化时间0.5-1小时；D、将步骤C中碳化后的初材自然降温，放入石墨化炉，在石墨化炉中采用惰性气体保护下加热，加热温度2000℃-2600℃，加热时间2-8小时，使之充分石墨化，形成石墨膜，降温后，取出。采用该方法即可以减低能耗，同时提高石墨膜的韧性。CN107344853ACN107344853A权利要求书1/1页1.一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、选择厚度为10μm-100μm之间铜箔，将其清洗干净，作为基底材料；B、采用印刷法，将纳米碳浆材料印刷在基体材料表面，印刷厚度在100μm-500μm范围，形成初材；C、将步骤B中的初材置于发热碳化炉中、真空状态或惰性气体保护下加热碳化，碳化温度1000℃-1500℃，碳化时间0.5-1小时；D、将步骤C中碳化后的初材自然降温，放入石墨化炉，在石墨化炉中采用惰性气体保护下加热，加热温度2000℃-2600℃，加热时间2-8小时，使之充分石墨化，形成石墨膜，降温后，取出；E、将D步骤中得到的石墨膜进行压模，贴膜形成高导热石墨材料膜成品。2.根据权利要求1所述的一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于:所述碳浆印刷厚度与基体厚度比一般为1.5：1-2.5：1。3.根据权利要求1所述的一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于:步骤C中所述的惰性气体为氮气或氩气。4.根据权利要求1所述的一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于:步骤D中所述的惰性气体为氮气或氩气。5.根据权利要求1所述的一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于:所述碳浆材料混入铁纳米粉做催化剂，起进一步的催化作用。2CN107344853A说明书1/3页一种高导热碳膜的低温制作方法技术领域[0001]本发明涉及碳膜的制作方法技术领域，特别是一种高导热碳膜的低温制作方法。背景技术[0002]目前制作高导热石墨膜的方法是将PI膜加热到1100-1400摄氏度温度进行碳化，碳化后，再加热到3000-3500摄氏度石墨化，经压膜，贴膜后形成高导热石墨膜，其导热系数远远高于铜、银、金等纯金属。但这种方法的原材料为PI膜，因此，材料成本很高，同时，必须进行压模、贴膜才能成型，进一步提高的制作成本。另外，经过此种传统方法制作的石墨膜存在横向、纵向导热系数不均的问题，并且，石墨化的温度非常高，能耗居高不下。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种高导热碳膜的低温制作方法，采用纳米碳粉浆料印刷在铜箔基体上，在氮气或氩气保护下加热碳化及石墨化转变，制备成高导热石墨膜材料，大大降低石墨化温度，从而减低制作成本。[0004]为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案为，一种高导热碳膜的低温制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、选择厚度为10μm-100μm之间铜箔，将其清洗干净，作为基底材料；B、采用印刷法，将纳米碳浆材料印刷在基体材料表面，印刷厚度在100μm-500μm范围，形成初材；C、将步骤B中的初材置于发热碳化炉中、真空状态或惰性气体保护下加热碳化，碳化温度1000℃-1500℃，碳化时间0.5-1小时；D、将步骤C中碳化后的初材自然降温，放入石墨化炉，在石墨化炉中采用惰性气体保护下加热，加热温度2000℃-2600℃，加热时间2-8小时，使之充分石墨化，形成石墨膜，降温后，取出；E、将D步骤中得到的石墨膜进行压模，贴膜形成高导热石墨材料膜成品。[0005]进一步地，所述碳浆印刷厚度与基体厚度比一般为1.5：1-2.5：1。[0006]进一步地，步骤C中所述的惰性气体为氮气或氩气。[0007]进一步地，步骤D中所述的惰性气体为氮气或氩气。[0008]进一步地，所述碳浆材料混入铁纳米粉做催化剂，起进一步的催化作用。[000