半导体器件与工艺综合.pdf

2222第23卷第7期半导体学报Vol.23No.72002年7月CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORSJuly2002半导体器件与工艺综合鲁勇谢晓锋张文俊杨之廉(清华大学微电子学研究所北京100084)摘要:利用器件与工艺综合的思想开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法实现了该设计方法的MOSPAD软件2并利用2MOSPAD22系统做出了一定的综合结果.做出了关于器件与工艺综合的两个实例即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.关键词:综合;器件综合;工艺综合;MOSPAD;FIBEEACC:B2570A;C1180;C7410D中图分类号:TN405文献标识码:A文章编号:02534177(2002)07077205成熟的设计工具只有部分实验室开发的实验系统1简介可完成器件综合或工艺综合中部分功能.早期的DOE/Opt2系统引入了一些参数优化的概念Saxe综合技术作为一项重要技术在半导体集成电na3等根据工艺综合的思想做出一些器件与工艺综路的研究中已有很广泛的应用.但目前综合技术主合的结果Vista4系统实现了一些参数优化的工作.要是应用于电路设计中电路的综合已经是一项很成熟的技术从行为级到电路级再到版图级通过层2器件综合层综合可以得到所需的集成电路设计.与之相对应的是在器件与工艺的研究中也有同样类似的综合器件综合是指根据半导体器件电学特性通过综技术1.设计者可以根据所需的器件电学特性通过合的方法得到所需器件的设计参数包括物理尺综合的方法得到器件的尺寸等物理信息.再进一寸、掺杂浓度等例如电学特性包括驱动电流Ion、关步根据所得到的器件物理特性更可通过综合的方断电流Ioff以及输出电阻Rout等.而设计参数包括沟法得到工艺流程中各部分的参数.长、源漏浓度、衬底浓度、栅氧厚度等.利用这种自顶向下的设计思想将给新器件研通常为了获取适当的电学特性设计者手工调究和生产带来革命性的改变.过去的器件设计是在整各种设计参数再通过模拟软件进行模拟得到的全手工的前提下逐步修改器件参数或工艺条件以模拟结果通常来说不能很好地符合设计者的要求.满足自己所需要的器件特性.