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半导体器件原理与工艺(器件)1.ppt

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半导体器件微电子学研究领域半导体中的缺陷电子：带负电的导电载流子是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子对应于导带中占据的电子空穴：带正电的导电载流子是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位对应于价带中的电子空位半导体、绝缘体和导体半导体器件突变结耗尽区的电场与电势分布电场分布电势分布耗尽层宽度耗尽层宽度VA0条件下的突变结反偏PN结线性缓变结定量方程耗尽层边界(续)准中性区载流子浓度理想二极管方程理想二极管方程(1)电子电流PN结电流空间电荷区的产生与复合空间电荷区的产生与复合-1VAVbi时的大电流现象VAVbi时的大电流现象-1VAVbi时的大电流现象-2VAVbi时的大电流现象-3雪崩倍增击穿雪崩击穿电压与掺杂浓度的关系扩散结结深对击穿电压的影响两种击穿的区别PN结二极管的等效电路反向偏置结电容反向偏置结电容-1反向偏置结电容-2PN结的开关特性小结