半导体器件原理与工艺(器件)1.ppt
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半导体器件原理与工艺31.ppt
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半导体器件工艺方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件的工艺方法,基于存在台阶的多晶硅刻蚀,在沉积多晶硅之前,先在具有台阶的薄膜表面沉积一层介质层,然后在介质层刻蚀之后再沉积多晶硅层。本发明所述的半导体器件的工艺方法,针对台阶状表面刻蚀工艺时在台阶角落存在刻蚀残留的问题,先形成一次其他介质层的斜坡将台阶角落充填,然后再沉积相应的薄膜,对薄膜刻蚀的时候由于台阶已被斜坡填充,薄膜的刻蚀更加彻底,解决了刻蚀残留的问题。