半导体器件半导体工艺掺杂.pptx
胜利****实阿
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相关资料
半导体器件半导体工艺掺杂.pptx
掺杂工艺目的扩散扩散形成的掺杂区和结扩散工艺步骤扩散方式淀积工艺受控制或约束的因素淀积工艺受控制或约束的因素扩散源扩散源扩散源2、推进氧化drive-in-oxidation氧化的影响离子注入离子注入概念离子注入系统离子注入系统离子注入系统束流聚焦:离开加速管后,束流由于相同电荷的排斥作用而发散。发散导致离子密度不均匀和晶体掺杂不均一。成功的离子注入,束流必须聚焦。静电或磁透镜用于将离子束聚焦为小尺寸束流或平行束流。束流中和:尽管真空去除了系统中大部分空气,但是束流附近还是有些残存的气体分子。离子和这些气
半导体器件工艺方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件的工艺方法,基于存在台阶的多晶硅刻蚀,在沉积多晶硅之前,先在具有台阶的薄膜表面沉积一层介质层,然后在介质层刻蚀之后再沉积多晶硅层。本发明所述的半导体器件的工艺方法,针对台阶状表面刻蚀工艺时在台阶角落存在刻蚀残留的问题,先形成一次其他介质层的斜坡将台阶角落充填,然后再沉积相应的薄膜,对薄膜刻蚀的时候由于台阶已被斜坡填充,薄膜的刻蚀更加彻底,解决了刻蚀残留的问题。
半导体器件与工艺(3).ppt
双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管晶体管的直流电流放大系数晶体管电流放大系数和电流放大能力(2)共射极直流电流放大系数共发射极电路是用去控制以实现电流放大的。晶体管电流放大系数和电流放大能力(3)与的关系晶体管电流放大系数和电流放大能力(4)晶体管具有放大能力所满足的条件(以NPN管为例)①发射区高掺杂能发射大量电子;②基区低掺杂且基区宽度
半导体器件与工艺(11).ppt
第十一章金属化芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。这一过程与介质的淀积紧密相连,金属线在IC电路中传导信号,介质层则保证信号不受邻近金属线的影响。金属和介质都是薄膜处理工艺,在某些情况下金属和介质是由同种设备淀积的。金属化对不同金属连接有专门的术语。互连意指由导电材料,如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属连接。接触是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接。通孔是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属
半导体器件与工艺(6).ppt
第六章硅片的制备与清洗硅是用来制造芯片的主要半导体材料,也是半导体产业中最重要的材料。对于可用于制造半导体器件的硅而言,使用一种特殊纯度级以满足严格的材料和物理要求。用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅(semiconductor-gradesilicon),或者SGS,有时也被称做电子级硅。不仅半导体级硅的超高纯度对制造半导体器件非常关键,而且它也要有近乎完美的晶体结构。只有这样才能避免对器件特性非常有害的电学和机械缺陷。单晶是一种固体材料,在许多的原子长程范围内原子都在三维空间中保持有序且重复的结构。非