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掺杂工艺目的扩散扩散形成的掺杂区和结扩散工艺步骤扩散方式淀积工艺受控制或约束的因素淀积工艺受控制或约束的因素扩散源扩散源扩散源2、推进氧化drive-in-oxidation氧化的影响离子注入离子注入概念离子注入系统离子注入系统离子注入系统束流聚焦:离开加速管后,束流由于相同电荷的排斥作用而发散。发散导致离子密度不均匀和晶体掺杂不均一。成功的离子注入,束流必须聚焦。静电或磁透镜用于将离子束聚焦为小尺寸束流或平行束流。束流中和:尽管真空去除了系统中大部分空气,但是束流附近还是有些残存的气体分子。离子和这些气体原子发生碰撞导致杂质原子中和。P++N2=P0+N2+离子注入系统使用时,直接删除本页!使用时,直接删除本页!使用时,直接删除本页!离子束与晶圆作用:1、晶圆电荷积累。利用电子枪提供电子2、晶体损伤。高温处理