一种体声波谐振器的制造工艺和体声波谐振器.pdf
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一种体声波谐振器的制造工艺和体声波谐振器.pdf
公开了一种体声波谐振器的制造工艺,包括在衬底上制作声反射镜,在衬底上制作用于覆盖声反射镜的底电极层;对底电极层的外围部分进行化学处理以形成改性层,改性层环绕底电极层;在底电极层上制作压电层;在压电层上制作顶电极层。还公开了一种体声波谐振器,包括衬底、形成在衬底上的声反射镜以及依次形成具有声反射镜的衬底上的底电极层、压电层和顶电极层,其中底电极层的临近声反射镜的边缘的部分被化学处理以形成改性层。凭借改性层的形成削弱或消除了有效工作区域外电极之间的电场强度,电极无法激励其间的压电层产生机械波而抑制了谐振器寄生
体声波谐振器.pdf
本发明实施例公开了一种体声波谐振器。该体声波谐振器包括:上电极、压电层和下电极,压电层设置在上电极和下电极之间;压电层在下电极的垂直投影的至少部分边界包括多个锯齿结构。通过在压电层的侧面设置多个锯齿结构,使压电层的侧面形成不规则边缘,以使压电层通电后产生的横向体声波传播到压电层与空气接触的表面时,能够发生杂乱无章的反射或漫反射,防止横向驻波的形成。本发明实施例的技术方案,解决了现有的体声波谐振器除了产生纵向体声波外,还会产生其他形式的驻波,增加体声波谐振器的噪声,对体声波谐振器的性能产生不利影响的问题,阻
体声波谐振器及其制造方法.pdf
本申请涉及半导体器件领域,公开一种体声波(bulkacousticwave,BAW)谐振器及其制造方法。该谐振器包括:衬底、设置于衬底上方的压电层、设置于压电层下方的第一电极、设置于压电层上方的第二电极、设置于衬底和压电层之间的第一介质层、第二介质层和第三介质层、以及设置于第三介质层和衬底之间的键合层。第一介质层设置于压电层下方并包括空腔。第三介质层设置于第一介质层下方,并包括朝向压电层突出的突出结构。第二介质层覆盖第三介质层,该第三介质层包括突出结构,第二介质层和第三介质层的突出结构构成围绕空腔的双
体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法.pdf
本申请提供了一种体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法。该体声波谐振器包括衬底、压电层、支撑层、第一电极层、第二电极层以及框架结构,其中,支撑层夹设在衬底与压电层之间,衬底、压电层以及支撑层围合形成空腔,第一电极层设置于压电层的靠近衬底的一侧,第二电极层设置于压电层的远离衬底的一侧,框架结构设置于第一电极层和/或第二电极层的远离压电层的部分表面上,框架结构由至少两种声阻抗材料构成。该体声波谐振器的谐振区域内的第二电极层和/或第一电极层的表面设置有框架结构,框架结构可以有效反射横向声波,因此可以减小横向播的
兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法.pdf
一种兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法,该谐振器包括:压电膜阵列,包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜,垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔,水平第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔,水平第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔;多个电极层,至少覆盖每个压电膜的顶面和底面;多个电极互连层,沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层;驱动晶体管位于盖帽层中,漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层;驱动晶体管的源极和漏极上具有欧姆接触层。本发明采用CMOS兼容工艺