体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115842530A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202310168373.9H03H3/02(2006.01)(22)申请日2023.02.27(71)申请人武汉敏声新技术有限公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号(72)发明人邹杨蔡耀高超林炳辉孙博文孙成亮(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240专利代理师霍文娟(51)Int.Cl.H03H9/17(2006.01)H03H9/02(2006.01)H03H9/13(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法(57)摘要本申请提供了一种体声波谐振器以及体声波谐振器的制作方法。该体声波谐振器包括衬底、压电层、支撑层、第一电极层、第二电极层以及框架结构，其中，支撑层夹设在衬底与压电层之间，衬底、压电层以及支撑层围合形成空腔，第一电极层设置于压电层的靠近衬底的一侧，第二电极层设置于压电层的远离衬底的一侧，框架结构设置于第一电极层和/或第二电极层的远离压电层的部分表面上，框架结构由至少两种声阻抗材料构成。该体声波谐振器的谐振区域内的第二电极层和/或第一电极层的表面设置有框架结构，框架结构可以有效反射横向声波，因此可以减小横向播的泄露，从而提高谐振器的Q值，进而解决了现有技术中体声波谐振器Q值较低的问题。CN115842530ACN115842530A权利要求书1/2页1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、压电层、支撑层、第一电极层、第二电极层以及框架结构，其中，所述支撑层夹设在所述衬底与所述压电层之间，所述衬底、所述压电层以及所述支撑层围合形成空腔，所述第一电极层设置于所述压电层的靠近所述衬底的一侧，所述第二电极层设置于所述压电层的远离所述衬底的一侧，所述第一电极层、所述压电层以及所述第二电极层形成层结构，沿所述层结构的厚度方向，所述第一电极层、所述压电层、所述空腔以及所述第二电极层的重合区域构成谐振区域，所述框架结构设置于所述第一电极层和/或所述第二电极层的远离所述压电层的部分表面上，所述框架结构由至少两种声阻抗材料构成，用于反射所述谐振区域内的声波并抑制所述声波发生横向扩散。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振区域在所述衬底上的投影区域覆盖所述框架结构在所述衬底上的投影边界。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述框架结构的外边缘与所述谐振区域的边界在所述衬底上的投影重合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述框架结构包括第一框架结构，所述第一框架结构设置于所述第一电极层的远离所述压电层的部分表面上。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一框架结构包括第一子框架和第二子框架，所述第一子框架包覆所述第二子框架的外周，所述第一子框架的声阻抗不同于所述第二子框架的声阻抗，所述第二子框架沿厚度方向的截面形状为矩形、梯形、三角形或弧形，所述第一子框架沿厚度方向的截面形状为凸字形、矩形、梯形或弧形。6.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一框架结构还包括第三子框架和第一空气隙，所述第一空气隙位于所述第三子框架中。7.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述框架结构包括第二框架结构，所述第二框架结构设置于所述第二电极层的远离所述压电层的部分表面上。8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二框架结构包括第四子框架和第五子框架，所述第四子框架包覆所述第五子框架的外周，所述第四子框架的声阻抗不同于所述第五子框架的声阻抗，所述第五子框架的截面形状为矩形、梯形、三角形或弧形，所述第四子框架的截面形状为凸字形、矩形、梯形或弧形。9.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二框架结构还包括第六子框架和第二空气隙，所述第二空气隙位于所述第六子框架中。10.一种体声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：提供预备衬底，在所述预备衬底的表面上形成压电层；于所述压电层的远离所述预备衬底的部分表面形成第一电极层；至少在所述第一电极层的远离所述压电层的部分表面上形成支撑层；提供衬底，键合所述衬底与所述支撑层，所述衬底、所述支撑层以及所述压电层围合形成空腔；去除所述预备衬底，在所述压电层的远离所述支撑层的表面形成第二电极层，所述第一电极层、所述压电层以及所述第二电极层形成层结构，沿所述层结构的厚度方向，所述第一电极层、所述压电层、所述空腔以及所述第二电极层的重合区域构成谐振区域；所述方法还包括以下之一：2CN115842530A权利要求书2/2页在形成所述第一电极