发光元件及发光元件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101998711A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101998711A(43)申请公布日2011.03.30(21)申请号201010139155.5(22)申请日2010.03.18(30)优先权数据2009-1868202009.08.11JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京(72)发明人村田道昭山田秀一宇佐美浩之桥本隆宽(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人顾红霞何胜勇(51)Int.Cl.H05B33/08(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图10页(54)发明名称发光元件及发光元件的制造方法(57)摘要本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。ACN10987CCNN110199871101998716A权利要求书1/1页1.一种发光元件，包括：半导体层；金电极层，其形成在所述半导体层的一部分上并与所述半导体层电连接，所述金电极层由包括金在内的金属制成；绝缘膜，其将所述半导体层覆盖并具有与所述金电极层对应的接触开口；阻挡金属层，其将所述金电极层、以及所述绝缘膜的位于所述接触开口附近的上表面覆盖；以及铝配线层，其形成在所述阻挡金属层上并与所述阻挡金属层电连接，并且朝着远离所述接触开口的方向在所述绝缘膜上延伸，并且所述铝配线层由包括铝在内的金属制成。2.一种发光元件的制造方法，包括：在形成有金电极层的半导体层上形成绝缘膜，所述金电极层由包括金在内的金属制成；在所述绝缘膜中形成接触开口，以使所述金电极层露出；形成阻挡金属层，所述阻挡金属层将所述金电极层、以及所述绝缘膜的位于所述接触开口附近的上表面覆盖；以及形成铝配线层，所述铝配线层从所述阻挡金属层的表面延伸到所述绝缘膜的表面并朝着远离所述接触开口的方向沿着所述绝缘膜的表面延伸，从而所述铝配线层与所述阻挡金属层电连接，并且所述铝配线层由包括铝在内的金属制成。3.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其中，形成所述阻挡金属层的步骤包括对所述阻挡金属层执行湿式蚀刻处理。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述阻挡金属层的形状通过湿式蚀刻处理来形成。5.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其中，在形成所述绝缘膜的步骤之后，将所述金电极层设置在所述半导体层和所述绝缘膜之间。2CCNN110199871101998716A说明书1/6页发光元件及发光元件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及发光元件以及发光元件的制造方法。背景技术[0002]光学打印机等的光学写入头采用自扫描式发光元件阵列。这样的自扫描式发光元件阵列由依次发光的多个元件构成。各个元件包括：具有pnpn结构的发光晶闸管，其用作发光元件；以及转移晶闸管，其依次切换向各个发光晶闸管提供的电力供应。在化合物半导体基板上制造出这些部件。[0003]通常采用的化合物半导体是砷化镓(GaAs)。此外，为了实现与栅极层和阴极层的电极之间的电阻性接触，广泛采用了金(Au)合金电极(参见JP-A-2005-340767)。[0004]此外，在将各个元件(各个元件的电极)电连接时，采用这样的方法：使薄膜配线(wiringtraces)与形成在位于电极上的层间绝缘膜中的接触开口连接。此时，一般来说，在这种配线中采用含铝(Al)的配线。然而，对于这种情况，广泛地认为在含铝的电极和金合金电极之间会形成合金层，从而导致接触电阻增大或者可靠性不够高(界面剥离)。作为应对该情况的措施，已知的是将阻挡金属层插入在金层和铝层之间。例如，已经提出了使用钨(W)或钛(Ti)作为金属阻挡物(参见JP-A-7-30095和JP-A-2006-147749)。[0005]这里，当将阻挡金属层插入在金层和铝层之间时，会出现这样的问题：在执行湿式蚀刻处理时阻挡金属层形成为尺寸比铝层大或者比铝层小。作为替代，也可以采用干式蚀刻法。然而，在这种情况下，会出现这样的问题：如果存在台阶部分，则无法对铝层或者阻挡金属层进行充分地蚀刻。发明内容[0006][1]根据本发明的一个方面，一种发光元件包括：[0007]半导体层；[0008]金电极层，其形成在所述半导体层的一部分上并与所述半导体层电连接，并且所述金电极层由包括金在内的金属制成；[0009]绝缘膜，其将所述半导体层覆盖并具有与所述金电极层对应的接触开口；[0010]阻挡金属层，其将所述金电极层、