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制造发光元件的方法和发光元件.pdf
2023-06-14
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醉香****mm
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制造发光元件的方法和发光元件.pdf
一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法，所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构，所述方法包括如下步骤：形成包括In和N的阱层(13a)；形成势垒层(13b)，所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽；以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前，供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中，供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外，在中断外延生
2023-06-14
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发光元件及发光元件的制造方法.pdf
本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
2024-01-04
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发光元件的制造方法.pdf
本发明提供一种发光元件的制造方法，在切割半导体晶片来制造发光元件时能够抑制发光点受到损伤。在形成发光元件（30）的沿发光点（30A）的列的一个边缘之后，相对于一个边缘隔开规定间隔地切割半导体晶片（22），从而形成发光元件（30）的比一个边缘（30B）离发光点（30A）远的另一边缘（30C）。这样，通过形成比一个边缘（30B）离发光点（30A）的列远的另一边缘（30C），将发光元件（30）从半导体晶片（22）切离，由此，在形成另一边缘（30C）时，即使发光元件（30）的从半导体晶片（22）切离的一侧抖动，由
2024-01-03
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发光元件的制造方法.pdf
该发光元件的制造方法具备：将聚光点（P1）对准在表面（2a）上形成有III-V族化合物半导体层（17）的蓝宝石基板（2）的内部，以基板（2）的背面（2b）作为激光入射面，沿着切断预定线（5a、5b）照射激光（L1），由此沿着切断预定线（5a、5b）在基板（2）的内部形成改质区域（7a、7b）的工序；其后，在基板（2）的背面（2b）形成光反射层的工序；其后，通过使以改质区域（7a、7b）为起点而产生的龟裂在基板（2）的厚度方向上伸展，从而沿着切断预定线（5a、5b）切断基板（2）、半导体层（17）和光反射层
2023-06-14
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发光元件的制造方法及发光元件的氢的提取方法.pdf
本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法,即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下,仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式,提供发光元件1的制造方法,包括以下工序:针对发光波长为306nm以下的发光元件1,在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下,从外侧照射波长为306nm以下的紫外光,实施热处理,将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序;在650℃以上的N<ba
2023-06-06
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