光电半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103779490103779490A(43)申请公布日2014.05.07(21)申请号201210409900.2(22)申请日2012.10.24(71)申请人乐利士实业股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人施权峰傅圣文吴炫达赖志铭郭钟亮(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314代理人程伟王锦阳(51)Int.Cl.H01L33/64(2010.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/427(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图9页附图9页(54)发明名称光电半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种光电半导体装置及其制造方法。该光电半导体装置包括一基板、一光电半导体元件、一黏着层、多条导线及一封胶材料。该光电半导体元件是利用该黏着层附着至该基板，且部分该光电半导体元件显露于该基板的贯穿孔结构。所述导线电性连接该光电半导体元件至该基板。该封胶材料包覆该光电半导体元件及所述导线。本发明的光电半导体装置可有效地降低该光电半导体装置的工作温度。CN103779490ACN103794ACN103779490A权利要求书1/2页1.一种光电半导体装置，包括：一基板，具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔结构，该贯穿孔结构贯穿该基板；至少一光电半导体元件，附着至该基板，且部分该光电半导体元件显露于该贯穿孔结构；一黏着层，接合该光电半导体元件及该基板；多条导线，电性连接该光电半导体元件至该基板的该第一表面；一封胶材料，位于该基板的该第一表面以包覆该光电半导体元件及所述导线。2.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，该光电半导体元件位于该基板的第一表面以完全盖住该贯穿孔结构。3.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，该光电半导体元件至少包含发光二极管、感光二极管、光伏打电池、太阳能电池、电致发光二极管、激光二极管、功率放大器或集成电路元件。4.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，该贯穿孔结构包括一通孔及一容置槽，该容置槽连通该通孔，且该容置槽的尺寸大于该通孔的尺寸，该光电半导体元件位于该容置槽内且完全盖住该通孔。5.根据权利要求4所述的光电半导体装置，其特征在于，该光电半导体元件具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件的第二表面接合该基板，且该光电半导体元件的第一表面与该基板的第一表面共平面。6.根据权利要求1所述的光电半导体装置，还包括：一均热装置，附着至该基板，且具有一中空容置空间及至少一开口，该中空容置空间经由该开口连通至该基板的贯穿孔结构；及一冷却液，位于该中空容置空间内，且用以接触该光电半导体元件，从而吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该均热装置内流动。7.根据权利要求6所述的光电半导体装置，其特征在于，该冷却液至少包含水、甲醇、乙醇、丙酮、氨水、石蜡、油、氟氯碳化合物、其任二者或更多的混合物或其任意组合。8.根据权利要求6所述的光电半导体装置，还包括多个散热鳍片，连接至该均热装置。9.根据权利要求6所述的光电半导体装置，其特征在于，该均热装置为一热管，其包括一外壳体及一毛细结构，该毛细结构位于该外壳体的内侧壁以定义出该中空容置空间，该均热装置的开口贯穿该外壳体及该毛细结构，而连通至该中空容置空间，使得该蒸发气体可以在该中空容置空间内流动，进而隔着该外壳体与外界环境形成热交换，最终冷凝成液态冷却液。10.根据权利要求9所述的光电半导体装置，其特征在于，该外壳体的材质为金属，且该毛细结构为铜网、铜粉烧解或沟槽。11.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其特征在于，该至少一贯穿孔结构为一具有斜面的通孔，或是具有部分斜面的通孔。12.一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)提供一基板，该基板具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔结构，该贯穿孔结构贯穿该基板；2CN103779490A权利要求书2/2页(b)利用一黏着层以附着至少一光电半导体元件至该基板，其中部分该光电半导体元件显露于该贯穿孔结构；(c)形成多条导线以电性连接该光电半导体元件至该基板的该第一表面；及(d)形成一封胶材料于该基板的该第一表面以包覆该光电半导体元件及所述导线。13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，该步骤(a)中，该贯穿孔结构包括一通孔及一容置槽，该容置槽连通该通孔，且该容置槽的尺寸大于该通孔的尺寸；且该步骤(b)中，该光电半导体元件位于该容置槽内且完全盖住该通孔。14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该步骤(b)中，该光电半导体元件具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件的第二表面接合该基板，