光电半导体器件及其制造的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116195079A(43)申请公布日2023.05.30(21)申请号202180063491.2(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2021.09.0811105专利代理师刘畅(30)优先权数据102020124258.12020.09.17DE(51)Int.Cl.H01L33/62(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.03.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2021/0747062021.09.08(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/058217DE2022.03.24(71)申请人艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司地址德国雷根斯堡(72)发明人A·普福伊费尔K·珀兹梅尔C·克莱姆普权利要求书3页说明书10页附图8页(54)发明名称光电半导体器件及其制造的方法(57)摘要提出了一种光电半导体器件(16)，包括：‑层堆(9)，其包括至少一个侧表面(9A)、第一主表面(9B)和第二主表面(90)；‑布置在第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第一半导体区域(4)；‑布置在第二主表面(90)上的第二接触装置(17)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第二半导体区域(5)并具有辐射透射性；和‑布置在层堆(9)上的导电的边缘层(11)，其从第二接触装置(17)经由侧表面(9A)延伸至第一主表面(9B)，和‑布置在边缘层(11)和层堆(9)之间的第一介电层(10)，其中第二主表面(90)未被第一介电层(10)覆盖。还提出了一种用于制造至少一个光电半导体器件的方法。CN116195079ACN116195079A权利要求书1/3页1.一种光电半导体器件(16)，包括‑层堆(9)，包括‑第一导电性类型的第一半导体区域(4)，‑第二导电性类型的第二半导体区域(5)，‑布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，‑在侧向上限制层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，‑第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；‑布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；‑布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和‑布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)，并且所述导电的边缘层具有布置在所述第二主表面(9C)上的端部区域(11B)，其中所述端部区域(11B)具有相应于导电的边缘层(11)的厚度(d1)的侧向延展(b1)；和‑布置在所述边缘层(11)与所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被所述第一介电层(10)覆盖。2.一种光电半导体器件(16)，包括‑层堆(9)，包括‑第一导电性类型的第一半导体区域(4)，‑第二导电性类型的第二半导体区域(5)，‑布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，‑在侧向上限制所述层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，‑第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；‑布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；‑布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和‑布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)；以及‑布置在所述边缘层(11)和所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被第一介电层(10)覆盖，并且其中所述第一介电层(10)与第二主表面(9C)齐平。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)共形地布置在所述至少一个侧表面(9A)上。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述第二主表面(9C)未被所述边缘层(11)覆盖。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)在所2CN116195079A权利要求书2/3页述第二主表面(9C)的背向所述层堆(9)的一侧上不突出于所述第二主表面(9C)。6.