散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103857261103857261A(43)申请公布日2014.06.11(21)申请号201210506071.X(22)申请日2012.11.30(71)申请人乐利士实业股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人施权峰傅圣文吴炫达赖志铭郭钟亮(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314代理人程伟王锦阳(51)Int.Cl.H05K7/20(2006.01)H01L33/64(2010.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书7页说明书7页附图16页附图16页(54)发明名称散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种散热装置及其制造方法与光电半导体装置及其制造方法。该散热装置包括一中空管、至少一密封盖及一冷却液。该中空管具有一侧壁及多个向外延伸的延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，且该侧壁及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成。该密封盖密封该中空腔体。该冷却液位于该中空腔体内。CN103857261ACN10385726ACN103857261A权利要求书1/3页1.一种散热装置，包括：一中空管，具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成；至少一密封盖，密封该中空腔体；及一冷却液，位于该中空腔体内。2.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空腔体具有至少一开口，该至少一密封盖密封该至少一开口。3.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空腔体具有一第一开口及一第二开口，该至少一密封盖包含一第一密封盖及一第二密封盖，该第一密封盖密封该第一开口，且该第二密封盖密封该第二开口。4.如权利要求1所述的散热装置，其中该中空管还具有多个沟槽，位于该中空管的侧壁内侧，且沿着该中空管的轴向设置。5.如权利要求1所述的散热装置，其中所述延伸部的外端形成圆形或多边形外观。6.如权利要求1所述的散热装置，还包括多个连接部，每一连接部位于至少二个延伸部上。7.如权利要求1所述的散热装置，其中该第一密封盖及该第二密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧。8.如权利要求1所述的散热装置，其中所述延伸部为矩形、子弹形、箭头形、帽形或水滴形。9.一种光电半导体装置，包括：一散热装置，包括：一中空管，具有一侧壁以定义出一中空腔体；多个延伸部，由该中空管的侧壁向外延伸，其中该中空管及所述延伸部为一体且为铝挤压成型或铝压铸而成；至少一密封盖，密封该中空腔体；及一冷却液，位于该中空腔体内；及至少一光电半导体元件，邻接至该至少一密封盖，该冷却液吸收该光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在该中空腔体内流动。10.如权利要求9所述的光电半导体装置，其中该中空腔体具有一第一开口及一第二开口，该至少一密封盖包含一第一密封盖及一第二密封盖，该第一密封盖密封该第一开口，且该第二密封盖密封该第二开口。11.如权利要求9所述的光电半导体装置，其中所述延伸部的外端形成圆形或多边形外观。12.如权利要求9所述的光电半导体装置，还包括多个连接部，每一连接部位于至少二个延伸部上。13.如权利要求9所述的光电半导体装置，还包括一基板，具有一第一表面及一第二表面，该光电半导体元件位于该基板的第二表面，且该基板的第一表面附着至该至少一密封盖。14.如权利要求10所述的光电半导体装置，其中该第二密封盖具有至少一贯穿孔，且2CN103857261A权利要求书2/3页该基板密封该第二密封盖的贯穿孔，从而使该冷却液得以接触该基板。15.如权利要求14所述的光电半导体装置，其中该基板还具有至少一孔洞，连通至该第二密封盖的贯穿孔，从而使该冷却液得以进入该基板的孔洞。16.一种散热装置的制造方法，包括以下步骤：a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧壁外侧向外延伸，其中该侧壁及所述延伸部为一体；b)利用至少一密封盖盖住该中空腔体；c)注入一冷却液至该中空腔体内；d)对该中空腔体抽真空；及e)密封该中空腔体。17.如权利要求16所述的制造方法，其中该步骤a)中，该中空腔体具有一第一开口及一第二开口；该步骤b)利用一第二密封盖盖住该第二开口；该步骤d)利用一第一密封盖盖住该第一开口，且对该中空腔体抽真空。18.如权利要求17所述的制造方法，其中该步骤b)中，该第二密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧，且该步骤d)中，该第一密封盖紧配于该中空管的侧壁内侧。19.一种光电半导体装置的制造方法，包括以下步骤：a)以铝挤压成型或铝压铸方式形成一中空管，其中该中空管具有一侧壁及多个延伸部，该侧壁定义出一中空腔体，所述延伸部由该侧