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半导体装置及其制造方法.pdf
2023-05-24
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是丹****ni
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相关资料
半导体装置及其制造方法.pdf
一种半导体装置,具备被埋入到第1槽内的JFET区域,该第1槽设置在氮化物半导体层的元件部的一个主面,在氮化物半导体层的周边耐压部,在氮化物半导体层的一个主面设有第2槽,与沟道部邻接的第1槽的侧面的倾斜角小于第2槽的侧面的倾斜角。
2023-05-24
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半导体装置及其制造方法.pdf
本发明实施方式提供能够降低布线电阻或接触电阻、并且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第一导电层。布线被设置于第一导电层的上方。接触件被设置于第一导电层与布线之间。布线具备：第一金属层，其设置于第一导电层的上方，包含六方晶系晶体的钛(Ti)；第二金属层，其设置于第一金属层上，包含体心立方晶格结构的钽(Ta)；和设置于第二金属层上的第一布线材料。
2023-06-03
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半导体装置及其制造方法.pdf
根据本发明实施例的半导体装置包括：衬底、设置在衬底上的第一外延电极层、设置在第一外延电极层上的铁电外延层、设置在铁电外延层上的电介质外延层以及设置在电介质外延层上的第二外延电极层。铁电外延层实现负电容。第一外延电极层和第二外延电极层中的每一个包括导电烧绿石氧化物。铁电外延层和电介质外延层串联电连接。包括铁电外延层和电介质外延层的电介质结构是非铁电的。
2023-06-03
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半导体装置及其制造方法.pdf
本发明所涉及的半导体装置具备：基板；黏合部件，配置于基板的表面上；第一芯片，介由第一黏合剂片层叠于黏合部件；及第二芯片，介由第二黏合剂片层叠于第一芯片。上述黏合部件具有多层结构，该多层结构包括由热固性树脂组合物的固化物形成的一对表面层和配置于一对表面层之间的中间层。
2023-06-11
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半导体装置及其制造方法.pdf
本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
2023-06-14
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