半导体装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110867444A(43)申请公布日2020.03.06(21)申请号201810986717.6(22)申请日2018.08.28(71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台湾台中市(72)发明人曾健旭徐嘉兰任楷简毅豪(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人王涛任默闻(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图12页(54)发明名称半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：衬底；介电结构，位于衬底上方；以及盖层，位于介电结构上方，其中盖层的底部具有M型剖面轮廓，且盖层与介电结构由不同的材料形成。该半导体装置可避免介电结构在后续的刻蚀制造工艺中暴露出来而产生漏电或短路的路径，造成半导体装置损坏。CN110867444ACN110867444A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一衬底；一介电结构，位于所述衬底上方；以及一盖层，位于所述介电结构上方，其中所述盖层的一底部具有一M型剖面轮廓，且所述盖层与所述介电结构由不同的材料形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖层为一复合式盖层，包括：一第一盖层，具有一U型剖面轮廓；以及一第二盖层，位于所述第一盖层上，且所述第二盖层具有一对足部，位于所述第一盖层的两侧。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一盖层包括与所述介电结构具有不同刻蚀选择比的材料。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对空气间隙，位于所述足部与所述衬底之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖层的一边缘和所述介电结构的一边缘形成一共同侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对导电结构，位于所述衬底上方，其中所述介电结构位于所述对导电结构之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一电容器，其中所述电容器的一底部邻接所述盖层。8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成一介电结构；在所述介电结构上方形成具有一U型剖面轮廓的一第一盖层；在所述第一盖层上方形成一第二盖层，其中所述第二盖层在所述第一盖层的两侧具有一对足部朝所述衬底延伸，使得所述第一盖层和所述第二盖层的复数个底部形成一M型剖面轮廓。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一盖层的形成包括：凹蚀所述介电结构，以在所述介电结构的一中间部分形成一U型凹槽；在所述U型凹槽中过填充一第一盖层材料；以及回刻蚀所述第一盖层材料，直到露出所述介电结构的复数个周围部分。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二盖层的形成包括：使用所述第一盖层作为一遮罩，刻蚀所述介电结构露出的所述周围部分，以在所述第一盖层的两侧形成复数个间隙；以及以一第二盖层材料填充所述间隙，以形成所述第二盖层的所述足部。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二盖层材料填充所述间隙的复数个上部，以在所述间隙的复数个剩余部分形成复数个空气间隙。12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在所述衬底上2CN110867444A权利要求书2/2页方形成一对导电结构，其中所述介电结构位于所述导电结构之间。13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括在所述导电结构上方形成邻接所述第二盖层的一电容器。3CN110867444A说明书1/5页半导体装置及其制造方法技术领域[0001]本发明实施例是关于半导体制造技术，特别是有关于半导体装置及其制造方法。背景技术[0002]随着半导体装置尺寸的微缩，制造半导体装置的难度也大幅提升，半导体装置的制造工艺期间可能产生不想要的缺陷，这些缺陷可能会造成装置的效能降低或损坏。因此，必须持续改善半导体装置，以提升良率并改善制造工艺宽裕度。发明内容[0003]本发明提供一半导体装置。此半导体装置包含：衬底；介电结构(dielectricstructure)，位于衬底(substrate)上方；以及盖层(cappinglayer)，位于介电结构上方，其中盖层的底部具有M型剖面轮廓，且盖层与介电结构由不同的材料形成。[0004]本发明另提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含：提供衬底；在衬底上方形成介电结构；在介电结构上方形成具有U型剖面轮廓的第一盖层；在第一盖层上方形成第二盖层，其中第二盖层在第一盖层的两侧具有一对足部朝衬底延伸，使得第一盖层和第二盖层的复数个底部形成M型剖面轮