具有耐弯曲性的透明导电膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104380394A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.02.25(21)申请号201280074019.X(51)Int.Cl.(22)申请日2012.12.21H01B5/14(2006.01)(30)优先权数据10-2012-00646722012.06.18KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.12.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2012/0112312012.12.21(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/191343KO2013.12.27(71)申请人乐金华奥斯有限公司地址韩国首尔(72)发明人郑根金仁淑赵靖金庚泽金冻应沈熙埈崔圣玹(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人吕琳杨生平权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称具有耐弯曲性的透明导电膜及其制备方法(57)摘要本发明提供一种透明导电膜，上述透明导电膜包括：透明基材，硬涂层，分别形成于上述透明基材的双面；以及至少一个透明导电层，形成于上述硬涂层上。并且，本发明提供一种透明导电膜的制备方法，上述透明导电膜的制备方法包括如下步骤：在透明基材的双面分别形成硬涂层的步骤，以及在上述硬涂层上，通过溅射方法来形成透明导电层的步骤。CN104380394ACN104380394A权利要求书1/1页1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：透明基材；硬涂层，其分别形成于所述透明基材的双面；以及至少一个透明导电层，其形成于所述硬涂层上。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬涂层的厚度为2μm至4μm。3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬涂层的厚度为3μm至4μm。4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述硬涂层的硬度为1H至2H。5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，在所述透明导电层的所述透明基材一侧的单面还包括1层以上的底涂层。6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述底涂层包含硅氧化物。7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜的极限曲率半径为1cm至3cm。2CN104380394A说明书1/6页具有耐弯曲性的透明导电膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种具有耐弯曲性的透明导电膜，更具体地，涉及为了确保透明导电膜的耐弯曲性，限定硬涂层的厚度的透明导电膜及其制备方法。背景技术[0002]目前使用于触摸屏面板产业的透明导电膜大部分以静电容量方式进行制备，通常主要考虑透明导电膜的电特性和光学特性。但是，为了实现未来将要使用的柔性显示器，所使用的所有组件应具备对于耐弯曲性的耐用性，透明导电膜也一样。[0003]但是，目前为止几乎没有进行有关为了制备用于提高透明导电性的耐弯曲性的透明导电膜而使用的基材膜及硬涂层的结构的具体的研究。并且，日本专利公开公报第1998-114159号中虽记载了包括基材膜及硬涂层的透明导电膜的结构，但这只是为了确保透明导电膜的规定的硬度及耐用性，并没有记载用于确保耐弯曲性的任何结构，仍显露着对于弯曲呈现较大的电阻变化幅度的以往透明导电膜的问题。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题[0005]为了解决上述问题，本发明的一实例提供一种能够使用于柔性显示器的、耐弯曲性得到提高的透明导电膜。[0006]技术方案[0007]在本发明的一实例中，提供一种透明导电膜，上述透明导电膜包括：透明基材；硬涂层，形成于上述透明基材的双面；以及透明导电层，其形成于上述硬涂层上。[0008]上述硬涂层的厚度可以是约2μm至约4μm。[0009]上述硬涂层的厚度可以是约3μm至约4μm。[0010]上述硬涂层的硬度可以是约1H至约2H。[0011]在上述透明导电层的上述透明基材一侧的单面，还可包括1层以上的底涂层。[0012]上述底涂层可包含硅氧化物。[0013]上述透明导电膜的极限曲率半径可以是约1cm至约3cm。[0014]在本发明的另一实例中，提供一种透明导电膜的制备方法，上述透明导电膜的制备方法包括如下步骤：在透明基材的双面形成硬涂层的步骤；以及在上述硬涂层上，通过溅射方法来形成透明导电层的步骤。[0015]上述透明导电膜的制备方法可包括在上述透明导电层的上述透明基材一侧的单面，还形成1层以上的底涂层的步骤。[0016]有益效果[0017]本发明确保上述透明导电膜的优秀的耐弯曲性，能够作为柔性显示器用透明电极组件来使用。[0018]并且，能够将上述透明导电膜的电阻变化差缩小到10％以内。3CN104380394A说明书2/6页附图说明[0019]图1是简要表示透明导电膜的结构的剖视图。[0020]图2是简要表示