透明导电膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105355262A(43)申请公布日2016.02.24(21)申请号201510830331.2(22)申请日2015.11.25(71)申请人深圳市乐普泰科技股份有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区横岗六约深坑深竹工业区A栋1-2楼(72)发明人徐汀徐秀茹孟鸿袁星李绍昌羊辉(74)专利代理机构深圳市合道英联专利事务所(普通合伙)44309代理人廉红果(51)Int.Cl.H01B1/22(2006.01)H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称透明导电膜及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种透明导电膜，是将采用表面羟基化处理的刷涂元件在透明基底上刷涂银纳米线浆料后制成。其具体制备方法包括下述步骤：将刷涂元件进行规范化清洗；对刷涂元件表面进行表面活性剂羧基化处理；配制AgNWs悬浊液；将透明基底水平放置，然后将配制好的AgNWs悬浊液滴到透明基底上，并将刷涂元件之经过表面活性剂羧基化处理的表面在透明基底上刷涂银纳米线，最后干燥处理即可。本发明提供的透明导电膜，具有较高的透光率及较好的导电性能，其方阻6-15Ω/sq，可见波长平均透过率大于70％，能在更多场合下应用，对现有ITO和FTO导电膜有很好的替代性，可以用于多种新型工业产品。CN105355262ACN105355262A权利要求书1/2页1.一种透明导电膜，其特征在于，是将采用表面羟基化处理的刷涂元件在透明基底上刷涂银纳米线浆料后制成。2.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述刷涂元件包括至少一表面为二氧化硅表面的基材，所述基材之二氧化硅表面采用表面活性剂羧基化处理，其透光率大于85％。3.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述银纳米线直径50-100nm，长度为30μm-80μm。4.如权利要求1-3任一项所述的透明导电膜制备方法，其特征在于，包括下述步骤：将所述刷涂元件进行规范化清洗；对所述刷涂元件表面进行表面活性剂羧基化处理；配制AgNWs悬浊液；将所述透明基底水平放置，然后将配制好的AgNWs悬浊液滴到所述透明基底上，并将所述刷涂元件之经过表面活性剂羧基化处理的表面在所述透明基底上刷涂银纳米线；将刷涂有银纳米线的所述透明基底进行干燥处理，即形成透明导电膜。5.如权利要求4所述的透明导电膜制备方法，其特征在于，所述规范化清洗步骤是将所述刷涂元件之具有二氧化硅的表面使用去离子水、丙酮、异丙醇分别超声20-30min。6.如权利要求5所述的透明导电膜制备方法，其特征在于，所述刷涂元件采用表面活性剂羧基化处理步骤是将清洗后的所述刷涂元件之具有二氧化硅的表面用等离子体处理2-10min或紫外臭氧处理20-30min，然后用硅烷类处理液或铵类处理液浸泡。7.如权利要求6所述的透明导电膜制备方法，其特征在于，所述硅烷类处理液中的溶质为下述化合物中的至少一种：正十八烷基三氯硅烷，或者正十六烷基三氯硅烷，或者正十四烷基三氯硅烷，或者正十八烷基三氯硅烷，或者正十八烷基三氟硅烷，或者正十六烷基三氟硅烷，或者正十四烷基三氟硅烷。或者γ-氯丙基三氯硅烷，或者γ-氯丙基甲基二氯硅烷，或者γ-氯丙基三甲氧基硅烷，或者γ-氯丙基三乙氧基硅烷，或者氯甲基三乙氧基硅烷，或者γ-氨丙基三乙氧基硅烷，或者γ-氨丙基三甲氧基硅烷，或者γ-(β-氨乙基)氨丙基三甲氧基硅烷，或者γ-脲丙基三乙氧基硅烷，或者苯胺甲基三乙氧基硅烷，或者苯胺甲基三甲氧基硅烷，或者γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，或者γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷，或者γ-(2,3-环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷，或者β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷，或者γ-甲基丙烯酰氧丙基三氯硅烷，或者γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷，或者γ-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷，或者γ-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷，或者γ-巯丙基三甲氧基硅烷，或者γ-巯丙基三乙氧基硅烷，或者双-(3-三乙氧硅丙基)四硫化物，或者双-(3-三乙氧硅丙基)二硫化物，或者乙烯基三氯硅烷，或者乙烯基三乙氧基硅烷，或者乙烯基三甲氧基硅烷，或者乙烯基三(2-甲氧乙氧基)硅烷，或者乙烯基三乙酰氧基硅烷，或者乙烯基三过氧化叔丁基硅烷，或者乙烯基甲基二氯硅烷，或者β-氰乙基三氯硅烷，或者β-氰乙基甲基二氯硅烷，或者β-氰乙基三乙氧基硅烷，或者γ-氰乙基三甲氧基硅烷，或者3-异氰酸丙基三乙氧基硅烷；所述铵类处理液中的溶质为下述化合物中的至少一种：或者十八烷基-二甲基-(3-三甲氧硅丙基)氯化铵，或者2-甲基丙烯酰氧乙基二甲基-(3-三甲氧硅丙基)氯化铵，或者2CN105355262A