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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104321831104321831A(43)申请公布日2015.01.28(21)申请号201380026018.2(51)Int.Cl.(22)申请日2013.05.07H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)(30)优先权数据G06F3/041(2006.01)10-2012-00536522012.05.21KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.11.18(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2013/0039472013.05.07(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/176422KO2013.11.28(71)申请人乐金华奥斯有限公司地址韩国首尔(72)发明人柳茂善金源国权冻铸徐知延(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人吕琳杨生平权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图1页附图1页(54)发明名称具有混合底涂层的透明导电膜及其制备方法,利用该透明导电膜的触摸板(57)摘要本发明公开一种能够利用单层的混合底涂层来实现折射率匹配,且阻隔性能优秀的触摸板用透明导电膜。本发明的透明导电膜,包括:透明基材;混合底涂层,形成于上述透明基材的上部,由无机网状物和有机网状物的共聚物形成,折射率为1.55~1.7,厚度为10nm~1.5μm;以及透明导电层,形成于上述混合底涂层的上部;与现有的透明导电膜相比,生产性显著优秀,并且具有优秀的阻隔性能的同时,具有能够表现出稳定的折射率匹配的优点。CN104321831ACN104328ACN104321831A权利要求书1/1页1.一种透明导电膜,其特征在于,包括:透明基材;混合底涂层,其形成于所述透明基材的上部,由无机网状物和有机网状物的共聚物形成,折射率为1.55~1.7,厚度为10nm~1.5μm;以及透明导电层,其形成于所述混合底涂层的上部。2.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述无机网状物包含金属醇化物以及硅(si)醇化物。3.根据权利要求2所述的透明导电膜,其特征在于,所述金属醇化物包含锆(Zr)醇化物以及钛(Ti)醇化物中的一种以上的物质。4.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述有机网状物含有聚合性化合物。5.根据权利要求4所述的透明导电膜,其特征在于,所述聚合性化合物包含具有至少一个官能团的热或者光聚合性单体、低聚物以及聚合物中的一种以上。6.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述透明基材为由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET,polyethyleneterephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN,polyethylenenaphthalate)、聚醚砜(PES,polyethersulfone)、聚碳酸酯(PC,Polycarbonate)、聚丙烯(PP,polypropylene)、降莰烷(Norbornane)类树脂中的一种以上而形成的单层膜或者层叠膜。7.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述透明导电层包含铟锡氧化物(ITO,IndiumTinOxide)或者氟掺杂氧化锡(FTO,Fluorine-dopedTinOxide)。8.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,在所述透明基材的一面或者两面还形成有硬涂层。9.一种透明导电膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(a),使金属醇化物和硅(si)醇化物进行水解以及缩合反应,并赋予交联剂来制备无机网状物;步骤(b),制备包含聚合性化合物的有机网状物;步骤(c),混合所述无机网状物和有机网状物来制备混合底涂层形成用组合物;步骤(d),在透明基材的上部涂敷所述组合物并进行固化,来形成折射率为1.55~1.7、厚度为10nm~1.5μm的混合底涂层;以及步骤(e),在所述混合底涂层的上部形成透明导电层。10.一种触摸板,其特征在于,包含权利要求1至8所述的透明导电膜。2CN104321831A说明书1/6页具有混合底涂层的透明导电膜及其制备方法,利用该透明导电膜的触摸板技术领域[0001]本发明涉及一种触摸板用透明导电膜,更为详细地涉及通过单层的混合底涂层能够实现折射率匹配(indexmatching),且阻隔性能优秀的触摸板用透明导电膜。背景技术[0002]透明导电膜是制备触摸板时最重要的部件之一。到目前为止,作为这种透明导电膜,最广为使用的是铟锡氧化物(IndiumTinOxide:ITO)膜。[0003]与此相关的技术公开在韩国公开专利公报10-2001-0030578号等的文献。[0004]一般的透明导电膜为了在高分子膜具有表面平坦性和耐热性,而将在进行底涂(prim