透明导电膜及其制备方法和光电器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116072745A(43)申请公布日2023.05.05(21)申请号202310146878.5(22)申请日2023.02.21(71)申请人中国乐凯集团有限公司地址071054河北省保定市乐凯南大街6号(72)发明人刘伟峰牛娟妮臧美秀侯丽新李丽张丽(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师欧阳高凤(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/18(2006.01)H10K50/805(2023.01)H10K71/60(2023.01)H10K102/10(2023.01)权利要求书1页说明书9页附图1页(54)发明名称透明导电膜及其制备方法和光电器件(57)摘要本发明公开了透明导电膜及其制备方法和光电器件，透明导电膜包括：依次层叠设置的透明基材、水汽阻隔层、第一透明电介质层、修饰层、金属层和第二透明电介质层，所述修饰层包括第一材料和第二材料，所述第一材料包括金属材料和硅中的至少之一，所述第二材料包括硫化物和第一氧化物中的至少之一。由此，通过修饰层中第一材料提升第一透明电介质层的表面能，以及通过第二材料束缚金属层原子在第一透明电介质层表面的扩散和减缓金属层原子迁移和聚集的速度，进而获得具有较高透光率和较好耐湿热性能的透明导电膜。CN116072745ACN116072745A权利要求书1/1页1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：依次层叠设置的透明基材、水汽阻隔层、第一透明电介质层、修饰层、金属层和第二透明电介质层，所述修饰层包括第一材料和第二材料，所述第一材料包括金属材料和硅中的至少之一，所述第二材料包括硫化物和第一氧化物中的至少之一。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属材料包括金、铜、锌和钛中的至少之一。3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述硫化物包括硫化锌，所述第一氧化物包括氧化钼、氧化锌铝、氧化锌、氧化锌锡和氧化镁中的至少之一。4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述修饰层包括10wt％‑50wt％的所述第一材料和50wt％‑90wt％的所述第二材料。5.根据权利要求1‑4任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述修饰层的厚度为0.5nm‑5nm。6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属层包括银合金，所述银合金包括银和掺杂元素，所述掺杂元素包括第一掺杂元素和第二掺杂元素，所述第一掺杂元素包括铜、铝、钛、铬、钼和镍中的至少之一，所述第二掺杂元素包括稀土元素。7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材包括树脂薄膜；任选地，所述水汽阻隔层包括含碳氧化物；任选地，所述第一透明电介质层和所述第二透明电介质层分别独立地包括第二金属氧化物、金属硫化物、金属氟化物、硅氧化物和硅氮化物中至少之一。8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属层的厚度为1nm‑10nm，所述透明基材的厚度为5μm‑500μm，所述水汽阻隔层的厚度为20nm‑300nm，所述第一透明电介质层的厚度为5nm‑100nm，所述第二透明电介质层的厚度为5nm‑100nm。9.一种制备权利要求1‑8中任一项所述的透明导电膜的方法，其特征在于，包括：在透明基材的一侧表面通过沉积工艺依次沉积水汽阻隔层、第一透明电介质层、修饰层、金属层和第二透明电介质层，所述沉积工艺包括离子增强化学气相沉积和磁控溅射中的至少一种。10.一种光电器件，其特征在于，包括权利要求1‑8中任一项所述的透明导电膜。2CN116072745A说明书1/9页透明导电膜及其制备方法和光电器件技术领域[0001]本发明属于光电领域，具体地，涉及透明导电膜及其制备方法和光电器件。背景技术[0002]近年来，随着柔性光电技术的快速发展，出现了柔性OLED(有机发光二极管)显示、柔性OLED照明、大面积触控屏、电致变色智能窗膜、液晶调光膜、薄膜太阳能电池、透明天线以及透明电磁波屏蔽膜等大批新技术和新产品，因而要求透明导电薄膜具有低电阻、柔性化、高透光和耐久性等性能，传统的氧化物透明导电膜由于氧化物自身脆性和电阻高已难以满足柔性光电器件的需求。通过将金属薄膜与金属氧化物结合形成电介质/金属/电介质结构的透明导电薄膜，能够提高透明导电薄膜的导电性和延展性，但电介质/金属/电介质结构的透明导电薄膜仍存在耐湿热性能较低和透光率较差等问题。[0003]因此，目前的透明导电膜及其制备方法和光电器件仍有待改进。发明内容[0004]本发明中是基于发明人对以下问题的发现而做出的：[0005]发明人发现，影响透明导电薄膜光电性能的关键因素是金属层的成膜质量，目前的金属层成膜过程往往是由团聚在一起的岛状膜逐