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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105590898A(43)申请公布日2016.05.18(21)申请号201510764757.2(51)Int.Cl.(2006.01)(22)申请日2015.11.10H01L21/78(30)优先权数据2014-2276642014.11.10JP2014-2276652014.11.10JP2014-2372932014.11.25JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京(72)发明人皆见健史村田道昭山崎宪二大塚勤(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人李铭陈源权利要求书1页说明书39页附图21页(54)发明名称制造半导体芯片的方法(57)摘要本发明提供了一种制造半导体芯片的方法,所述方法包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下,在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前,停止使用所述切割件。CN105590898ACN105590898A权利要求书1/1页1.一种制造半导体芯片的方法,包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下,在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前,停止使用所述切割件。2.一种制造半导体芯片的方法,包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下,在所述切割件的末端形状形成为使得最大应力施加在所述顶部的区域且使得所述位于正面一侧的沟槽的外围由于所述切割件的磨损而导致断裂的锥形形状之前,停止使用所述切割件。3.一种制造半导体芯片的方法,包括步骤:形成位于衬底正面一侧的沟槽;以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片,所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度,其中在使得所述切割件的末端部的厚度方向中心的变化范围离开所述位于正面一侧的沟槽并且来自因磨损变尖的所述切割件的顶部的区域的应力使所述位于正面一侧的沟槽的外围断裂的制造条件下,在所述位于正面一侧的沟槽的外围的断裂率随着所述切割件的磨损而开始上升之前,停止使用所述切割件。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的制造半导体芯片的方法,其中,基于所述切割件的使用量与所述位于正面一侧的沟槽的外围处的断裂率之间的预定关系,停止使用所述切割件。2CN105590898A说明书1/39页制造半导体芯片的方法技术领域[0001]本发明涉及一种制造半导体芯片的方法。背景技术[0002]已提出了一种划片方法,通过以下步骤,所述方法能够在不减少可从单个衬底获取的芯片的数量的情况下提高芯片的良率:利用第一刀片形成位于蓝宝石衬底的正面一侧的第一沟槽,然后利用第二刀片形成位于背面一侧的比第一沟槽更宽且更深的第二沟槽(JP-A-2003-124151)。还提出了一种增加可形成在晶圆上的半导体芯片的数量的方法,该方法利用激光照射而形成从晶圆的正面到其厚度中部的沟槽,然后利用刀片将晶圆从其背面切割到通过激光照射而形成的所述沟槽的位置(JP-A-2009-88252)。发明内容[0003]已知一种制造半导体芯片的方法,所述方法设有形成位于衬底的正面一侧的沟槽的步骤以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟