n型晶体硅双面太阳电池.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107369726A(43)申请公布日2017.11.21(21)申请号201710383991.X(22)申请日2017.05.26(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市兴泰南路268号(72)发明人毛卫平蔡永梅鲁伟明李华(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人文雯(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称n型晶体硅双面太阳电池(57)摘要本发明提供一种n型晶体硅双面太阳电池，包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面掺杂形成p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，p+型晶体硅层和p++型硅膜层共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触；n+型晶体硅层和n++型硅膜层的共同正表面沉积背面钝化减反射层。本发明的正面和背面金属电极层与衬底表面掺杂层之间设置了重掺杂硅膜层形成的钝化接触层，既避免了金属电极直接接触硅片表面掺杂层造成的接触区复合，又扩展了硅片表面掺杂区的掺杂浓度范围，可以同时获得较低的钝化区和接触区复合电流，提高电池开路电压和转化效率。CN107369726ACN107369726A权利要求书1/1页1.一种n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：包括衬底、p+型晶体硅层、p++型硅膜层、正面钝化减反射层、正面金属电极层、n+型晶体硅层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层和背面金属电极层，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面掺杂形成p+型晶体硅层，p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层，即p++型硅膜层设于正面金属电极层下方，p+型晶体硅层和p++型硅膜层共同正表面沉积正面钝化减反射层，正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触；n型晶体硅片的背面掺杂形成的n+型晶体硅层，n+型晶体硅层上局部设置n++型硅膜层，n+型晶体硅层和n++型硅膜层的共同正表面沉积背面钝化减反射层，背面金属电极层穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触。2.如权利要求1所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：n型晶体硅片采用n型单晶硅片或n型多晶硅片，n型晶体硅片的电阻率在0.3~10Ωcm，厚度在50~500um。3.如权利要求1所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：p+型晶体硅层的厚度在0.2~2um，方块电阻在20~200Ω/□。4.如权利要求3所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：n+型晶体硅层的厚度在0.2~2um，方块电阻在20~200Ω/□。5.如权利要求4所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：p++型硅膜层采用硼掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，p++型硅膜层的厚度在10nm~10um。6.如权利要求5所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：p++型硅膜层与p+型晶体硅层之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层的厚度在1~3nm。7.如权利要求6所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：n++型硅膜层采用磷掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，n++型硅膜层厚度在10nm~10um。8.如权利要求7所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：n++型硅膜层与n型晶体硅层之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层厚度在1~3nm。9.如权利要求1-8任一项所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：正面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy、a-AlOx中的任意一种或多种的组合，正面钝化减反射层厚度在60~150nm，背面钝化减反射层至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy、a-AlOx中的任意一种或多种的组合，背面钝化减反射层厚度在60~150nm。10.如权利要求1-8任一项所述的n型晶体硅双面太阳电池，其特征在于：正面金属栅线电极为Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种，背面金属栅线电极为Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。2CN107369726A说明书1/4页n型晶体硅双面太阳电池技术领域[0001]本发明涉及一种n型晶体硅双面太阳电池。背景技术[0002]随着光伏市场的发展，人们对高效晶体硅电池的需求越来越急迫。相对p型晶体硅电池而言，由于n型晶体硅对金属杂质不敏感，或者说具有很好的忍耐性能，故其少数载流子具有较大的扩散长度；此外