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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116130484A(43)申请公布日2023.05.16(21)申请号202210985071.6H01L29/06(2006.01)(22)申请日2022.08.17H01L29/10(2006.01)(30)优先权数据10-2021-01553202021.11.12KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人延得豪吴锦美高宣煜(74)专利代理机构北京市集佳律师事务所16095专利代理师唐明英(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/15(2006.01)H10K59/12(2023.01)H10K59/126(2023.01)权利要求书3页说明书15页附图10页(54)发明名称阵列基板和包括阵列基板的显示装置(57)摘要本发明公开了阵列基板和包括阵列基板的显示装置。阵列基板包括基板、基板上方的屏蔽金属和薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括在屏蔽金属上方的具有沟道区域的有源层、以及在屏蔽金属、有源层和阵列基板中的至少一个中的热梯度部分,以使沟道区域的第一区域的温度低于沟道区域的第二区域的温度。在沟道区域与屏蔽金属之间的冷却带由热梯度部分限定。包括限定薄膜晶体管与屏蔽金属之间的冷却带的热梯度部分的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置可以改善扭结效应、维持高驱动电压、增加导通电流和/或改善开关特性。CN116130484ACN116130484A权利要求书1/3页1.一种阵列基板,包括:基板;设置在所述基板上方的屏蔽金属;以及设置在所述屏蔽金属上方的薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括在所述屏蔽金属上方的有源层,所述薄膜晶体管还包括源电极、漏电极和栅电极,其中,所述有源层包括沟道区域、定位在所述沟道区域的一侧处的源极区域和定位在所述沟道区域的相反侧处的漏极区域,并且其中,所述屏蔽金属、所述沟道区域和所述阵列基板中的至少一个包括热梯度部分,所述热梯度部分使所述沟道区域中的第一区域的温度不同于所述沟道区域中的第二区域的温度。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分使所述沟道区域中的中心区域的温度低于所述沟道区域中的外围区域的温度。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分的宽度比所述沟道区域的宽度窄。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分包括形成在所述屏蔽金属和所述沟道区域中的一个上的突起,并且其中,所述突起朝向所述屏蔽金属和所述沟道区域中的另一个突出。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述屏蔽金属包括指向所述沟道区域的突起。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述屏蔽金属的突起被定位成与所述源极区域相比更靠近于所述漏极区域。7.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述沟道区域包括指向所述屏蔽金属的突起。8.根据权利要求7所述的阵列基板,其中,所述沟道区域的突起被定位成与所述源极区域相比更靠近于所述漏极区域。9.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分包括设置在所述沟道区域上的外围区域上的热盖。10.一种阵列基板,包括:对应于多个子像素的多个薄膜晶体管;以及设置在所述多个薄膜晶体管中的每一个薄膜晶体管下方的屏蔽金属,其中,所述多个薄膜晶体管中的每一个薄膜晶体管包括:有源层,所述有源层包括沟道区域、定位在所述沟道区域的一侧处的源极区域和定位在所述沟道区域的相反侧处的漏极区域;覆盖所述沟道区域的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的栅电极;覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅电极的层间绝缘层;源电极,所述源电极设置在所述层间绝缘层上并连接至所述源极区域;以及漏电极,所述漏电极设置在所述层间绝缘层上并连接至所述漏极区域,并且2CN116130484A权利要求书2/3页其中,所述屏蔽金属、所述沟道区域和所述阵列基板中的至少一个包括热梯度部分,所述热梯度部分使所述沟道区域中的第一区域的温度不同于所述沟道区域中的第二区域的温度。11.根据权利要求10所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分使所述沟道区域中的中心区域的温度低于所述沟道区域中的外围区域的温度。12.根据权利要求10所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分的宽度比所述沟道区域的宽度窄。13.根据权利要求10所述的阵列基板,其中,所述热梯度部分包括在所述屏蔽金属和所述沟道区域中的一个上的突起,并且其中,所述突起朝向所述屏蔽金属和所述沟道区域中的另一个突出。14.根据权利要求13所述的阵列基板,其中,所述屏蔽金属包括指向所述沟道区域的突起。15.根据权利要求14所述的阵列基板,其中,所述屏蔽金属的突起被定位成与所述源极区域相比更靠近于所述漏极区域。16.根据权利要求13所述的阵列基板,其中,所述沟道区域包括指向所述屏蔽金属的突起。17.根