导热垫片及其制备方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108129838A(43)申请公布日2018.06.08(21)申请号201711410555.3(22)申请日2017.12.21(71)申请人广东乐图新材料有限公司地址523000广东省东莞市万江街道简沙洲社区新和夏塘工业区(72)发明人黄远彪莫志友(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287代理人胡海国(51)Int.Cl.C08L83/04(2006.01)C08K9/06(2006.01)C08K3/22(2006.01)C08K7/18(2006.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称导热垫片及其制备方法、电子装置(57)摘要本发明提供一种导热垫片的制备方法、由该方法所制得的导热垫片及应用该导热垫片的电子装置。所述导热垫片的制备方法，包括以下步骤：按重量份，提供1600～1650份的导热填料，所述导热填料包括粒径范围为1～3μm的第一氧化铝颗粒、粒径范围为4～6μm的第二氧化铝颗粒、及粒径范围为60～80μm的第三氧化铝颗粒；提供6～8份的硅烷偶联剂，混合所述硅烷偶联剂和导热填料，所述硅烷偶联剂吸附于导热填料的表面，得到改性的导热填料；提供100～110份的乙烯基硅油，混合所述乙烯基硅油和改性的导热填料，所述硅烷偶联剂的亲有机基团与乙烯基硅油结合，使得改性的导热填料分散于乙烯基硅油中，得到基料；对所述基料依次进行压延处理和成型固化处理，得到导热效果佳的导热垫片。CN108129838ACN108129838A权利要求书1/1页1.一种导热垫片的制备方法，包括以下步骤：按重量份，提供1600～1650份的导热填料，所述导热填料包括粒径范围为1～3μm的第一氧化铝颗粒、粒径范围为4～6μm的第二氧化铝颗粒、及粒径范围为60～80μm的第三氧化铝颗粒；提供5～8份的硅烷偶联剂，混合所述硅烷偶联剂和导热填料，所述硅烷偶联剂吸附于导热填料的表面，得到改性的导热填料；提供100～110份的乙烯基硅油，混合所述乙烯基硅油和改性的导热填料，所述硅烷偶联剂的亲有机基团与乙烯基硅油结合，使得改性的导热填料分散于乙烯基硅油中，得到基料；对所述基料依次进行压延处理和成型固化处理，得到导热垫片。2.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒的质量比范围为：5～7：3～4：1。3.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铝颗粒、第二氧化铝颗粒及第三氧化铝颗粒具有球形结构、类球形结构或不规则结构。4.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述乙烯基硅油中乙烯基含量为0.5～1％。5.如权利要求1所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲基硅烷、γ-胺丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、氨基硅烷、甲基丙烯酰氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、或丁二烯基三乙氧基硅烷。6.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：提供5～8份铂金催化剂和0.001～0.005份延迟剂，混合所述基料、铂金催化剂及延迟剂。7.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，获得所述基料后，对基料进行压延处理前，还包括以下步骤：对所述基料进行抽真空处理，所述抽真空处理的时间为15～30分钟。8.如权利要求1至5任一项所述的导热垫片的制备方法，其特征在于，所述固化处理为：于130～150℃的温度下对所述基料进行固化处理，该固化处理的时间为10～120分钟。9.一种由权利要求1-8任一项所述的导热垫片的制备方法所制得的导热垫片。10.一种电子装置，其特征在于，包括壳体、容纳于该壳体内的发热件、及如权利要求9所述的导热垫片，所述导热垫片夹设于壳体与发热件之间。2CN108129838A说明书1/7页导热垫片及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及电子装置技术领域，尤其涉及一种导热垫片的制备方法，由该导热垫片的制备方法所制得的导热垫片、和应用该导热垫片的电子装置。背景技术[0002]随着电子设备的快速发展，快速充电成为电子行业的重要研究方向。电子设备在进行快速充电的过程中会产生大量的热量。通常采用于电子设备中设置导热垫片的方式，来导出电子设备产生的热量。然而，传统的导热垫片的导热系数较低，仅为1～3瓦/米·度(w/mk)，因而导热效果较差，难以快速、及时地将电子设备产生的热量导出。另外，传统的导热垫片还具有阻燃性差、出油率高、及掉粉等缺陷，从而进一步限制了传统的导热垫片于电子设备中的应用。发明内容[0003