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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108133941A(43)申请公布日2018.06.08(21)申请号201711189988.0(22)申请日2017.11.24(30)优先权数据10-2016-01623472016.11.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴世熙崔弘洛尹弼相具亨埈智光焕朴在润(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书3页说明书16页附图13页(54)发明名称晶体管基板、包括其的有机发光显示面板和有机发光显示装置及其制造方法(57)摘要本发明公开了晶体管基板、包括该晶体管基板的有机发光显示面板、制造晶体管基板的方法以及包括有机发光显示面板的有机发光显示装置,在晶体管基板中设置有驱动晶体管和开关晶体管,驱动晶体管和开关晶体管各自包括其两端被绝缘层覆盖的氧化物半导体,并且驱动晶体管的栅极和开关晶体管的栅极设置在不同的层上。CN108133941ACN108133941A权利要求书1/3页1.一种晶体管基板,所述晶体管基板包括:基板;开关沟道,所述开关沟道设置在所述基板上;驱动沟道,所述驱动沟道设置在所述基板上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述开关沟道和所述驱动沟道;开关栅极,所述开关栅极设置在所述栅极绝缘层上以与所述开关沟道的开关有源部重叠,所述开关有源部包括氧化物半导体;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述开关栅极和所述栅极绝缘层上;驱动栅极,所述驱动栅极设置在所述第一绝缘层上以与所述驱动沟道的驱动有源部重叠,所述驱动有源部包括氧化物半导体;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述驱动栅极和所述第一绝缘层上;第一电极,所述第一电极设置在所述第二绝缘层上并与所述开关沟道的第一导体部和所述驱动栅极连接;和第二电极,所述第二电极设置在所述第二绝缘层上并与所述开关沟道的第二导体部连接。2.根据权利要求1所述的晶体管基板,其中所述开关沟道的所述第一导体部和所述第二导体部的每一个包括与构成所述开关有源部的氧化物半导体的金属相同的金属。3.根据权利要求1所述的晶体管基板,其中所述驱动栅极包括:第一栅极电极,所述第一栅极电极设置在所述第一绝缘层上以与所述驱动沟道的所述驱动有源部以及第三导体部重叠,所述第一栅极电极包括透明导电材料;和第二栅极电极,所述第二栅极电极与所述第一电极连接并设置在所述第一栅极电极上以与所述驱动有源部重叠,所述第二栅极电极包括阻挡紫外线的导电材料。4.根据权利要求3所述的晶体管基板,其中所述驱动沟道的所述第三导体部包括与构成所述驱动有源部的氧化物半导体的金属相同的金属。5.根据权利要求3所述的晶体管基板,其中所述第一栅极电极接触所述第二栅极电极。6.根据权利要求3所述的晶体管基板,其中所述驱动有源部的宽度与所述第二栅极电极的宽度相同。7.根据权利要求3所述的晶体管基板,进一步包括:第一存储电容,所述第一存储电容设置在所述驱动沟道的所述第三导体部与所述第一栅极电极之间。8.根据权利要求1所述的晶体管基板,其中所述驱动栅极与所述第一电极连接并与所述驱动沟道的所述驱动有源部重叠,所述驱动栅极包括阻挡紫外线的导电材料。9.根据权利要求8所述的晶体管基板,其中所述第一电极与所述驱动沟道的未被所述驱动栅极覆盖的第三导体部重叠。10.根据权利要求1所述的晶体管基板,其中所述开关有源部的宽度与所述开关栅极的宽度相同。11.根据权利要求3所述的晶体管基板,其中所述栅极绝缘层覆盖所述开关沟道的所述第一导体部和所述第二导体部以及所述驱动沟道的所述第三导体部。12.根据权利要求3所述的晶体管基板,进一步包括:第三电极,所述第三电极与所述驱动沟道的所述第三导体部连接,并设置在所述第二绝缘层上以与所述第一栅极电极重叠。2CN108133941A权利要求书2/3页13.根据权利要求1所述的晶体管基板,其中所述开关沟道和所述驱动沟道设置在同一层上。14.一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板包括:权利要求1至13之一的所述晶体管基板;钝化层,所述钝化层覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第二绝缘层;和有机发光二极管(OLED),所述有机发光二极管设置在所述钝化层上,其中所述有机发光二极管的阳极与所述驱动沟道连接。15.根据权利要求14所述的有机发光显示面板,其中与所述驱动沟道的第三导体部连接的第三电极设置在所述第二绝缘层上,所述第三电极与所述阳极连接,所述第三电极与所述驱动沟道的所述第三导体部重叠。16.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:权利要求15的所述有机发光显示面板;