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阵列基板、X射线检测器、及用于制造该阵列基板的方法.pdf
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阵列基板、X射线检测器、及用于制造该阵列基板的方法.pdf
提供了一种用于数字X射线检测器的阵列基板、一种包括该阵列基板的数字X射线检测器、以及用于制造该阵列基板的方法。用于数字X射线检测器的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：基础基板；所述基础基板之上的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的下电极；所述下电极之上的正‑本征‑负(PIN)层，所述PIN层包含N型半导体层、本征半导体层、以及P型半导体层；所述PIN层之上的偏置电极；以及覆盖所述PIN层和所述偏置电极的上电极。
2023-12-04
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一种用于数字X射线检测器的阵列基板可以包括：基底基板；被设置在基底基板上方的薄膜晶体管；正‑本征‑负(positive‑intrinsic‑negative，PIN)二极管，其包括电连接至薄膜晶体管的下电极、被设置在下电极上方的第一PIN层和被设置在第一PIN层上方的上电极；与PIN二极管间隔开的第二PIN层，第二PIN层被设置在薄膜晶体管上方；以及电连接至上电极的偏置电极。
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用于被配置为感测X射线信号的数字X射线检测器的基板，包括该基板的检测器及其制造方法。根据本公开内容的实施例，用于X射线检测器的基板包括布置在薄膜晶体管上的层间介电层、布置在层间介电层上的第一钝化层和第二钝化层、以及布置在与薄膜晶体管对应的晶体管区中的第一钝化层和第二钝化层中的至少一个上的氢阻挡层。
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本公开涉及用于X射线检测器的阵列基板以及包括其的X射线检测器。阵列基板限定为有源区和焊盘区，其中焊盘区包括多个测试区，测试区包括第一测试图案和第二测试图案。第一测试图案包括：在基板上的第一栅电极；在第一栅电极上的第一有源层；在第一有源层上的第一源/漏电极；以及在第一源/漏电极上的第一数据线，并且第二测试图案包括：在基板上的第一下电极，在第一下电极上的第一光电导层；以及在第一光电导层上的第一上电极，从而以高精度测量晶体管和光检测器中的每一个的特性。
2023-12-05
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本公开涉及用于X射线检测器的阵列基板以及包括其的X射线检测器。阵列基板限定为有源区和焊盘区，其中焊盘区包括：基板，该基板包括第一区和从第一区延伸的第二区；以及接触基板的上表面并且从第一区朝向第二区延伸的多条数据线，多条数据线的相邻数据线彼此间隔开，基板的上表面在基板的第一区中的相邻数据线之间的区域露出；以及在基板与基板的第二区中的数据线之间设置有第一绝缘膜，从而防止切割期间由于数据线与有机层之间的团聚而导致相邻数据线之间的短路。
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