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本发明涉及半导体技术领域,本发明公开了一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法,包括以下步骤;步骤(1)、帖感光膜曝光显影;步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶,进行干燥;步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥;步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗;步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。本发明方法简单,定位丝印不需太高精度,整体图案的精度取决于感光掩膜的精度,没有二次对位误差;只用一次贴膜曝光显影,不需要二次曝光,不需要标记点定位。