一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115551213A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211497177.8(22)申请日2022.11.28(71)申请人江苏富乐华半导体科技股份有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人李辛未贺贤汉于明洋李炎马敬伟张恩荣(51)Int.Cl.H05K3/02(2006.01)H05K3/06(2006.01)H05K3/22(2006.01)H05K3/26(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法(57)摘要本发明公开了一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，涉及半导体基板加工领域，旨在解决陶瓷基板侧壁有镀银层的问题，其技术方案要点是：真空烧结：将钎焊浆料采用丝印技术印刷在陶瓷基板上,在此基础上覆盖无氧铜后放到真空钎焊炉内进行烧结；化学前处理；镀银：在处理好的覆铜陶瓷基板表面化学镀银,让铜面沉积一层银层；贴膜、曝光、显影；蚀刻图形：将镀有银层的覆铜陶瓷基板蚀刻出所需要的图形；去膜：将表面剩余部分干膜/湿膜去除干净；清洗烘干：最后将产品表面清洗干净，并烘干即可。本发明的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法可以去除图形侧壁的镀银层，提升陶瓷基板质量。CN115551213ACN115551213A权利要求书1/1页1.一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）真空烧结：将钎焊浆料采用丝印技术印刷在陶瓷基板上，在此基础上覆盖无氧铜后放到真空钎焊炉内进行烧结；2）化学前处理：将上述的覆铜陶瓷基板通过化学处理，表面清洗干净；3）镀银：在处理好的覆铜陶瓷基板表面化学镀银,让铜面沉积一层银层；4）贴膜、曝光、显影；5）蚀刻图形：将镀有银层的覆铜陶瓷基板蚀刻出所需要的图形；6）去膜：将表面剩余部分干膜/湿膜去除干净；7）清洗烘干：最后将产品表面清洗干净，并烘干即可。2.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：在步骤5蚀刻图形的步骤中，选用化学蚀刻法将镀有银层的覆铜陶瓷基板蚀刻出图形。3.根据权利要求2所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：所述蚀刻图形的操作条件包括有：蚀刻药液主要成分包括盐酸、铜离子、氯酸钠；管控条件包括：盐酸为1.9±0.2mol/L；金属铜离子含量为150±20g/L；导电度15‑60S/m；比重1.29±0.01，蚀刻温度50±2℃；蚀刻速度：0.3mm/0.75m/min。4.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：在步骤2化学前处理中，先除油后微蚀再酸洗，使其在室温下除去表面氧化物及其它异物残留,同时使铜面获得一定的粗糙度。5.根据权利要求4所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：所述除油为PDH‑439:80‑120g/L，时间30‑90s。6.根据权利要求5所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：微蚀为硫酸:40‑60ml/L，过硫酸钾:80‑120g/L，时间:60‑120s。7.根据权利要求6所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：所述酸洗为硫酸:30‑50ml/L，时间:30‑90s。8.根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其特征在于：在步骤3中镀银方式为电镀银或者化学镀银，银层厚度≥6μm。2CN115551213A说明书1/3页一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法技术领域[0001]本发明涉及覆铜陶瓷基板加工领域，更具体地说，它涉及一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法。背景技术[0002]随着微电子技术的迅猛发展，电子器件趋于集成化和多功能化，印刷电路板已成为一种不可或缺的电子部件，尤其是覆铜陶瓷基板以其良好的导热性和气密性，广泛应用于功率电子，电子封装，混合微电子和多芯片模块等领域；而化学镀银作为新的环保型表面处理工艺，在铜表面沉积一层银，以确保电子器件在线路板上的可焊性，普遍作为覆铜陶瓷基板的加工工艺中重要的一步。[0003]本专利主要研究开发覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，目的是当覆铜陶瓷基板图形侧壁封装灌胶后，如果侧壁有银镀层，胶与银层的结合力不好，容易出现胶层与银层分离，同时银层暴露在外面容易产生金属迁移的现象，导致客户封装后的产品性能下降，影响功率器件的可靠性。发明内容[0004]针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种覆铜陶瓷基板图形侧壁无镀银层的方法，其通过先镀银后蚀刻将图形侧壁的银层给蚀刻掉，从而保证覆铜陶瓷基板的图形侧壁无镀银层，提升产品质量与性能。[0005]本发明的上述技术目的是通过以下技