一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112246734A(43)申请公布日2021.01.22(21)申请号202010739066.8(22)申请日2020.07.28(71)申请人安徽富乐德科技发展股份有限公司地址244000安徽省铜陵市金桥经济开发区(72)发明人周伯成张正伟(74)专利代理机构铜陵市天成专利事务所(普通合伙)34105代理人李坤(51)Int.Cl.B08B3/02(2006.01)B08B3/12(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺(57)摘要本发明提供一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，是采用一种自主设计的自动化清洗设备，实现治具定位；高压水洗压力、角度、高度、旋转清洗的转速可控；清洗过程稳定可控，清洗效果较自动高压水洗有显著提高。适合在半导体、液晶平板等精密设备的维护保养方面大力发展。CN112246734ACN112246734A权利要求书1/1页1.一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，其特征是：清洗治具包括真空仓(7)、夹具(6)、喷头(8)和控制器(5)，所述夹具(6)包括底座(4)、挡块(2)和压块(3)，底座(4)为圆形，底座(3)边沿上等距设有6个挡块(2)，压块(3)也是等距分布在底座(4)边沿，最少3个。2.根据权利要求1所述的一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，其特征是：利用该治具的清洗工艺步骤如下：步骤一、水枪冲洗高压水洗设备的治具表面，避免有砂材残留，损伤密封面；步骤二、将部件放置的高压水洗设备的治具上，并用固定块固定，其中治具材质采用特氟龙，避免损伤石英部件的接触面；另固定块也用PP材质，避免划伤石英表面；步骤三、设定高压水洗的压力50-100bar和转速10-20r/min，清洗时间60-180s，并开启设备；步骤四、自动清洗完毕，设备停止运转，从治具中取出部件；步骤五、将部件放置在超音波槽中超声清洗清洗5-15min。步骤六、纯水冲洗，吹干。3.根据权利要求2所述的一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，其特征是：步骤二中，治具主体结构采用不锈钢，与部件接触的固定块采用PP或特氟龙制作，避免石英部件损伤。4.根据权利要求2所述的一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，其特征是：步骤三中，将部件采用高压水洗的方式处理，其中高压水压压力为100bar，转速为10r/min,清洗时间为180s。5.根据权利要求2所述的一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，其特征是：步骤五中，将高压水洗处理之后的部件采用高频超声波清洗工艺进行处理，超声波频率25-40KHz。2CN112246734A说明书1/3页一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺技术领域[0001]本发明涉及一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺。背景技术[0002]高压水洗是半导体洗净再生过程中的一步重要的工艺，该工艺主要是用来去除部件的化学清洗过程中表面附着的阴离子及金属离子。因此高压水洗的效果的好坏决定着部件表面的洁净度，影响部件在客户端上机的效果。目前部件清洗过程中高压水洗作业的方式是由人工手执高压水洗设备的枪头，对部件进行冲洗，清洗过程耗时耗力，清洗质量不稳定。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，清洗治具包括真空仓、夹具、喷头和控制器，所述夹具包括底座、挡块和压块，底座为圆形，底座边沿上等距设有6个挡块，压块也是等距分布在底座边沿，最少3个。[0005]优选的，利用该治具的清洗工艺步骤如下：[0006]步骤一、水枪冲洗高压水洗设备的治具表面，避免有砂材残留，损伤密封面；[0007]步骤二、将部件放置的高压水洗设备的治具上，并用固定块固定，其中治具材质采用特氟龙，避免损伤石英部件的接触面；另固定块也用PP材质，避免划伤石英表面；[0008]步骤三、设定高压水洗的压力50-100bar和转速10-20r/min，清洗时间60-180s，并开启设备；[0009]步骤四、自动清洗完毕，设备停止运转，从治具中取出部件；[0010]步骤五、将部件放置在超音波槽中超声清洗清洗5-15min。[0011]步骤六、纯水冲洗，吹干。[0012]优选的，步骤二中，治具主体结构采用不锈钢，与部件接触的固定块采用PP或特氟龙制作，避免石英部件损伤。[0013]优选的，步骤三中，将部件采用高压水洗的方式处理，其中高压水压压力为100bar，转速为10r/min,清洗时间为180s。[0014]优选的，步骤五中，将高压水洗处理之后的部件采用高频超声波清洗工艺进行处理，超声波频