一种研磨后晶片的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112452906A(43)申请公布日2021.03.09(21)申请号202011052657.4(22)申请日2020.09.29(71)申请人威科赛乐微电子股份有限公司地址404040重庆市万州区万州经开区高峰园B02(72)发明人周一毕洪伟(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245代理人张晨(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)B08B3/10(2006.01)B08B3/04(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种研磨后晶片的清洗方法(57)摘要本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种研磨后晶片的清洗方法，所述清洗方法是将晶片经过金属清洗剂清洗完成后，再先后分别使用碱溶液和酸溶液各清洗一次，具体为：将研磨后的晶片表面用去离子水冲洗干净，置于金属清洗剂溶液中，不断抖动晶片，清洗完成后，取出用去离子水冲洗干净后，置于碱溶液中进行第二次清洗，清洗完成后，用去离子水进行冲洗2‑3min，置于酸溶液中进行第三次清洗，清洗完成后，用去离子水冲洗干净，即可进入下一工序。本发明公开了一种研磨后晶片的清洗方法，在晶片腐蚀前，能够有效去除晶片表面的研磨液杂质等附着物，增加晶片表面的洁净度，进而提高腐蚀时晶片掉量的均匀性。CN112452906ACN112452906A权利要求书1/1页1.一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法是将晶片经过金属清洗剂清洗完成后，再先后分别使用碱溶液和酸溶液各清洗一次。2.根据权利要求1所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述碱溶液为氢氧化钠溶液和双氧水的混合溶液，所述氢氧化钠溶液和双氧水的体积比为57％～60％:40％～43％。3.根据权利要求2所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为2.5％。4.根据权利要求1所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述酸溶液为柠檬酸溶液和稀硫酸溶液的混合溶液，所述柠檬酸溶液和稀硫酸溶液的体积比为5～6:1。5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法具体包括以下步骤：预清洗：将研磨后的晶片表面用去离子水冲洗干净后，浸泡于去离子水中；一次清洗：配制体积浓度为5-20％的金属清洗剂溶液，将晶片从去离子水中捞出，置于金属清洗剂溶液中，不断抖动晶片，清洗完成后，取出用去离子水冲洗干净后，浸泡于去离子水中；二次清洗：分别量取氢氧化钠溶液和双氧水，搅拌混合均匀后配制得到碱溶液，将经过一次清洗的晶片从去离子水中捞出，置于碱溶液中进行第二次清洗，清洗完成后，用去离子水进行冲洗2-3min；三次清洗：分别量取柠檬酸溶液和稀硫酸溶液，搅拌混合均匀配制得到酸溶液，将二次清洗完成后的晶片置于酸溶液中进行第三次清洗，清洗完成后，用去离子水冲洗干净，即可进入下一工序。6.根据权利要求5所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述一次清洗的温度为70-90℃，清洗时间为10-15min。7.根据权利要求5所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述二次清洗的温度为25-30℃，清洗时间为30-60s。8.根据权利要求5所述的一种研磨后晶片的清洗方法，其特征在于，所述一次清洗的温度为25-30℃，清洗时间为30-40s。2CN112452906A说明书1/5页一种研磨后晶片的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种研磨后晶片的清洗方法。背景技术[0002]磷化铟晶片是重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大、热导率高、击穿电场高等优点，其在光子领域(波长为1000nm以上的发射和探测能力)和射频领域(高频RF应用中的高速和低噪声性能)中占有重要的地位。对于军事通信、雷达和辐射测量等性能驱动型利基市场以及自动测试设备的首选，在微波、毫米波电路及高速数字集成电路的制备中是首选的衬底材料。并且在5G通信时代，对比其他半导体材料而言，磷化铟材料的性能更好，尽管现如今磷化铟材料的技术受到其他半导体材料技术的挑战，但是凭借其优越的性能，依旧是未来半导体材料的主流材料，并且对于产品性能的提高和更高的追求，未来对于磷化铟技术的开发与提升，拥有更广阔的发展前景。[0003]磷化铟晶片是由磷化铟晶棒进行加工而成，在加工的过程中，会在晶片的表面产生锯纹，晶片内部产生内应力，并且晶片切割后，其厚度较产品具有很大的差距。在切片后，抛光之前需要进行研磨处理，主要是修复表面的锯纹、锯线以及表面细小的划伤、划痕等损伤，调节表面的平整度与表面内应力，研磨后的晶片经过简